4-fluorophenyldiphenylsulfonium chloride | 1261290-16-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4-fluorophenyldiphenylsulfonium chloride
• 英文别名: 4-Fluorophenyldiphenylsulfonium chloride；(4-fluorophenyl)-diphenylsulfanium;chloride
• CAS: 1261290-16-7
• 化学式: C₁₈H₁₄FS*Cl
• 分子量: 316.827
• InChiKey: DOHFROZTNQCWIR-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.93
• 重原子数：
  21.0
• 可旋转键数：
  3.0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-fluorophenyldiphenylsulfonium chloride 在 草酸 作用下， 以 水 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 11.5h， 生成
  参考文献：
  名称：

  塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

  摘要：

  生产具有良好CD均一性（CDU）的光刻胶图案的盐的提供。特定的磺酸盐化合物，例如，由下式（1-1）表示的盐。【选择图】无

  公开号：

  JP2020015713A
• 作为产物：
  描述：

  二苯基亚砜 在 三甲基氯硅烷 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 4-fluorophenyldiphenylsulfonium chloride
  参考文献：
  名称：

  SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS

  摘要：

  分子中含有三苯基磺鎵阳离子和亚硫酸盐阴离子的磺鎵盐，在化学增感抗蚀剂组合物中最适合作为光酸发生剂。当暴露于高能辐射时，磺鎵盐会生成磺酸，促进化学增感正向抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的高效断裂。由于在电子束或极紫外光刻技术下，磺鎵盐具有相当的非挥发性，因此减少了暴露工具被污染的风险。

  公开号：

  US20110008735A1

文献信息

• カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
  申请人：住友化学株式会社

  公开号：JP2021175721A

  公开（公告）日：2021-11-04

  【課題】良好なマスクエラーファクタ（ＭＥＦ）を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物を提供する。【解決手段】例えば、下式の様に合成した式（Ｉ−４１００）で表されるカルボン酸塩が示される。【選択図】なし

  可以提供含有良好口罩因子（ＭＥＦ）的光阻图案的制造碳酸盐、碳酸发生剂和包含它们的光阻组成物。解决方案是提供了合成为下式（Ｉ−４１００）所示的碳酸盐。【选择图】无
• SULFONIUM SALT-CONTAINING POLYMER, RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND SULFONIUM SALT MONOMER AND MAKING METHOD
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20140296561A1

  公开（公告）日：2014-10-02

  A sulfonium salt having a 4-fluorophenyl group is introduced as recurring units into a polymer comprising hydroxyphenyl(meth)acrylate units and acid labile group-containing (meth)acrylate units to form a polymer which is useful as a base resin in a resist composition. The resist composition has a high sensitivity, high resolution and minimized LER.

  一种含有4-氟苯基的磺鎵盐被引入到聚合物中，该聚合物包含羟基苯基（甲基）丙烯酸酯单元和含酸性易裂解基团的（甲基）丙烯酸酯单元，形成一种聚合物，可用作抗蚀剂组成中的基础树脂。抗蚀剂组成具有高灵敏度、高分辨率和最小化LER。
• SULFONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20150086926A1

  公开（公告）日：2015-03-26

  A carboxylic acid sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 0 is hydrogen or a monovalent hydrocarbon group, R 01 and R 02 are hydrogen or a monovalent hydrocarbon group, at least one of R 0 , R 01 , and R 02 has a cyclic structure, L is a single bond or forms an ester, sulfonate, carbonate or carbamate bond with the vicinal oxygen atom, R 2 , R 3 and R 4 are monovalent hydrocarbon groups. The sulfonium salt functions as a quencher in a resist composition, enabling to form a pattern of good profile with minimal LWR, rectangularity, and high resolution.

  提供了具有公式（1）的羧酸磺酸盐，其中R0为氢或一价烃基，R01和R02为氢或一价烃基，R0、R01和R02中至少有一个具有环状结构，L为单键或与邻位氧原子形成酯、磺酸盐、碳酸酯或氨基甲酸酯键，R2、R3和R4为一价烃基。磺酸盐在抗蚀剂组合物中起到淬灭剂的作用，能够形成具有良好轮廓、最小LWR、矩形度和高分辨率的图案。
• Chemically-amplified positive resist composition and resist patterning process using the same
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US09500949B2

  公开（公告）日：2016-11-22

  The present invention provides a chemically-amplified positive resist composition including a sulfonium salt capable of providing a pattern having an extremely high resolution with low line edge roughness, and also provides a resist patterning process using the same. The present invention was accomplished by a chemically-amplified positive resist composition including: (A) a salt represented by the following general formula (1); and (B) a resin containing a repeating unit represented by the following general formula (U-1) that dissolves by acid action and increases solubility in an alkaline developer, and a resist patterning process using the same.

  本发明提供了一种化学增强型正电子光阻组合物，包括一种能够提供极高分辨率和低线边粗糙度的磺酸盐，并提供使用该组合物的光阻图案化过程。本发明通过包括以下通式（1）所表示的盐（A）和含有通过酸作用溶解并增加在碱性显影剂中的溶解度的以下通式（U-1）所表示的重复单元的树脂（B）的化学增强型正电子光阻组合物实现。同时还提供使用该组合物的光阻图案化过程。
• Sulfonium salt, resist composition, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US08173354B2

  公开（公告）日：2012-05-08

  A sulfonium salt having a triphenylsulfonium cation and a sulfite anion within the molecule is best suited as a photoacid generator in chemically amplified resist compositions. Upon exposure to high-energy radiation, the sulfonium salt generates a sulfonic acid, which facilitates efficient scission of acid labile groups in chemically amplified positive resist compositions. Because of substantial non-volatility under high vacuum conditions in the EB or EUV lithography, the risk of the exposure tool being contaminated is minimized.

  分子中含有三苯基磺鎓阳离子和亚磺酸盐阴离子的磺鎓盐是化学增感抗蚀剂组合物中最适合用作光酸发生剂的。在高能辐射的照射下，磺鎓盐会产生磺酸，从而促进化学增感正向抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的高效裂解。由于在EB或EUV光刻术中高真空条件下具有相当的非挥发性，因此减少了曝光工具被污染的风险。