ammonium isophthalate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: ammonium isophthalate
• 英文别名: Azanium;benzene-1,3-dicarboxylate;hydron；azanium;benzene-1,3-dicarboxylate;hydron
• 化学式: C₈H₆O₄*2H₃N
• 分子量: 200.194
• InChiKey: PXFXMQROBKYLHM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.12
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  78.4
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  ammonium isophthalate 在 ammonium hydroxide 作用下， 以85.4%的产率得到间苯二甲酸
  参考文献：
  名称：

  一种芳香酸的绿色合成方法

  摘要：

  本发明涉及一种有机酸的合成方法，特别涉及一种芳香酸的绿色合成方法，属于有机合成领域。一种芳香酸的绿色合成方法，所述的合成方法是以芳香类氰基化合物为底物，在碱催化剂的催化下催化水解得到相应的芳香酸铵盐，所得芳香酸铵盐水解得到芳香酸，同时副产氨水，碱催化剂可多次重复套用；所述芳香类氰基化合物结构式为本发明操作简便，产物收率高，易分离且基本无含盐废水产生，废水产生量小，对环境友好等特点，另外催化剂还可多次重复使用，经多次套用后，产品总收率可接近100％。

  公开号：

  CN110590532A
• 作为产物：
  描述：

  间苯二甲腈 在 ammonium hydroxide 作用下， 反应 25.0h， 生成 ammonium isophthalate
  参考文献：
  名称：

  一种芳香酸的绿色合成方法

  摘要：

  本发明涉及一种有机酸的合成方法，特别涉及一种芳香酸的绿色合成方法，属于有机合成领域。一种芳香酸的绿色合成方法，所述的合成方法是以芳香类氰基化合物为底物，在碱催化剂的催化下催化水解得到相应的芳香酸铵盐，所得芳香酸铵盐水解得到芳香酸，同时副产氨水，碱催化剂可多次重复套用；所述芳香类氰基化合物结构式为本发明操作简便，产物收率高，易分离且基本无含盐废水产生，废水产生量小，对环境友好等特点，另外催化剂还可多次重复使用，经多次套用后，产品总收率可接近100％。

  公开号：

  CN110590532A

文献信息

• Synthesis, characterization, crystal structure and electrochemical studies of ionic iron(III) dipicolinato complex
  作者：Fatemeh Ghasemi、Khaled Ghasemi、Ali Reza Rezvani、Mohd Mustaqim Rosli、Ibrahim Abdul Razak

  DOI：10.1016/j.molstruc.2017.05.044

  日期：2017.9

  Abstract The new complex (NH4)[Fe(dipic)2] (1) (dipicH2 = 2,6-pyridinedicarboxylic acid), was synthesized and characterized by elemental analysis, FTIR and UV–Vis spectroscopy and single crystal X-ray method. The crystal system is tetragonal with space group I41/a. The FeIII ion and the N atom of the ammonium cation are located on a crystallographic fourfold rotoinversion axis ( 4 ¯ ). The N H⋯O and

  摘要 合成了新的配合物(NH4)[Fe(dipic)2] (1) (dipicH2 = 2,6-吡啶二羧酸)，并通过元素分析、FTIR、UV-Vis 光谱和单晶X 射线法对其进行了表征。晶系为四方晶系，空间群为I41/a。FeIII 离子和铵阳离子的 N 原子位于晶体学的四重旋转反转轴 (4¯) 上。NH⋯O和CH⋯O分子间氢键和π⋯π堆积相互作用在3维阴阳离子网络的形成和晶体结构的稳定中起着重要作用。还通过循环伏安法研究了配合物的氧化还原行为。
• Polyether amides and process for the preparation thereof
  申请人：Huntsman Corporation

  公开号：EP0451954A2

  公开（公告）日：1991-10-16

  Polyether amides are produced by reacting at least one polyalkylene glycol diamine with at least two dicarboxylic acids or esters thereof. The polyethylene glycol diamine has the formula NH₂-(CH₂CH₂O)x-CH₂CH₂-NH₂, where x ranges from 2 to 6, and at least one of the dicarboxylic acids is an aromatic dicarboxylic acid. The polyether amides may have the formula: where each R and R' are independently an alkyl or aryl moiety having from 3 to 34 carbon atoms, where at least one R or R' is an aryl moiety, and where each x and y independently have the values noted. The resulting polyether amides are useful to make polymers, including fibers, with unusually good water absorbancy properties.

  聚醚酰胺是由至少一种聚乙二醇二胺与至少两种二羧酸或其酯类反应制得。聚乙二醇二胺的化学式为 NH₂-(CH₂CH₂O)x-CH₂CH₂-NH₂，其中 x 为 2 至 6，至少一种二羧酸为芳香族二羧酸。聚醚酰胺可具有以下式子： 其中每个 R 和 R'独立地为具有 3 至 34 个碳原子的烷基或芳基，其中至少一个 R 或 R'为芳基，且每个 x 和 y 独立地具有所述值。由此制得的聚醚酰胺可用于制造吸水性能异常优良的聚合物，包括纤维。
• PROCESSING AGENT COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SURFACE AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SURFACE USING SAME
  申请人：Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

  公开号：EP2475000A1

  公开（公告）日：2012-07-11

  The present invention is directed to provide a semiconductor surface treating agent composition which is capable of stripping an anti-reflection coating layer, a resist layer, and a cured resist layer in the production process of a semiconductor device and the like easily and in a short time, as well as a method for treating a semiconductor surface, comprising that the composition is used. The present invention relates to a semiconductor surface treating agent composition, comprising [I] a compound generating a fluorine ion in water, [11] a carbon radical generating agent, [111] water, [IV] an organic solvent, and [V] at least one kind of compound selected from a group consisting of hydroxylamine and a hydroxylamine derivative represented by the general formula [1], as well as a method for treating the semiconductor surface, comprising that the composition is used: (wherein R1 represents a linear, branched or cyclic C1-6 alkyl group, or a linear or branched C1-4 substituted alkyl group having 1 to 3 hydroxyl groups; R2 represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic C1-6 alkyl group, or a linear or branched C1-4 substituted alkyl group having 1 to 3 hydroxyl groups).

  本发明旨在提供一种半导体表面处理剂组合物，该组合物能够在半导体器件等的生产过程中在短时间内容易地剥离抗反射涂层、抗蚀层和固化抗蚀层，以及一种处理半导体表面的方法，其中包括使用该组合物。本发明涉及一种半导体表面处理剂组合物，包括[I]一种在水中生成氟离子的化合物、[11]一种碳自由基生成剂、[111]水、[IV]一种有机溶剂和[V]至少一种选自由通式[1]表示的羟胺和羟胺衍生物组成的组中的化合物，以及一种处理半导体表面的方法，包括使用该组合物： (其中 R1 代表直链、支链或环状 C1-6 烷基，或具有 1 至 3 个羟基的直链或支链 C1-4 取代烷基；R2 代表氢原子、直链、支链或环状 C1-6 烷基，或具有 1 至 3 个羟基的直链或支链 C1-4 取代烷基）。
• [EN] ABS COMPOSITION AND PREPARATION METHOD FOR ABS COMPOSITION<br/>[FR] COMPOSITION D'ABS ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE COMPOSITION D'ABS<br/>[ZH] 一种ABS组合物及一种ABS组合物的制备方法
  申请人：KINGFA SCIENCE & TECHNOLOGY CO

  公开号：WO2020114316A1

  公开（公告）日：2020-06-11

  本发明公开了一种ABS组合物，按重量份计，包括以下组分：ABS树脂70份；阻燃剂10-40份；重均分子量为400万-900万的聚合物0.05-8份；所述的阻燃剂选自溴系阻燃剂-含锑化合物阻燃协效剂的复配物、溴系阻燃剂-含锑化合物阻燃协效剂的复配物和氮系阻燃剂、磷系阻燃剂、磷-氮系阻燃剂、金属氢氧化物中的一种或多种的再复配物。本发明的ABS组合物具有耐疲劳性能、低温弯折保持率、阻燃性能好等优点。并且，本发明还公开了一种ABS组合物的制备方法。
• US5242756A
  申请人：——

  公开号：US5242756A

  公开（公告）日：1993-09-07