tetramethylammonium isophthalate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: tetramethylammonium isophthalate
• 英文别名: bis(tetramethylammonium) 1,3-benzenedicarboxylate；Benzene-1,3-dicarboxylate;tetramethylazanium
• 化学式: 2C₄H₁₂N*C₈H₄O₄
• 分子量: 312.409
• InChiKey: JJRHRBCJDAZVJH-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.26
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  80.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetramethyl (1α,2β,3α,4α,5α,6α,7β,8α,9β,10α,11α,15α,16α,17β,18α,19β,20α,26α,27β,28α, 29β,30α,31α,35α,36α,37β)-13,33-bis(p-fluorophenylthiouredioethyl)-12,14,22,24,32,34-hexaoxo-13,23,33-triaza-23-38,40-dioxahexadecacyclo[26.9.1^8,18.1^10,16.1^30,36.0^2,27.0^3,21.0^4,26.0^5,20.0^6,25.0^7,19.0^9,17.0^11,15.0^21,25.0^29,37.0^31,35]hentetracontane-1,8,18,28-tetracarboxylate 、 tetramethylammonium isophthalate 以 氘代二甲亚砜 为溶剂， 生成 C₈H₄O₄^(2-)*2C₄H₁₂N⁽¹⁺⁾*C₆₂H₅₉F₂N₇O₁₆S₂
  参考文献：
  名称：

  合作与否：中心功能在双硫脲[6]聚降冰片烯宿主中的作用

  摘要：

  合作与否？已合成了一系列中央官能化的双硫脲阴离子宿主。使用1 H NMR滴定技术检查了中心基团在帮助或阻止一系列二羧酸酯结合中的作用。

  DOI：

  10.1002/ejoc.201901352
• 作为产物：
  描述：

  间苯二甲酸 、 四甲基氢氧化铵 以 甲醇 为溶剂， 反应 48.0h， 以92%的产率得到tetramethylammonium isophthalate
  参考文献：
  名称：

  合作与否：中心功能在双硫脲[6]聚降冰片烯宿主中的作用

  摘要：

  合作与否？已合成了一系列中央官能化的双硫脲阴离子宿主。使用1 H NMR滴定技术检查了中心基团在帮助或阻止一系列二羧酸酯结合中的作用。

  DOI：

  10.1002/ejoc.201901352

文献信息

• Carboxylate anions binding and sensing by a novel tetraazamacrocycle containing ferrocene as receptor
  作者：Xiuling Cui、Rita Delgado、Helena M. Carapuça、Michael G. B. Drew、Vítor Félix

  DOI：10.1039/b506572k

  日期：——

  characterized. The tetraprotonated form of this compound was evaluated as a receptor (R) for anion recognition of several substrates (S), Cl−, PF6−, HSO4−, H2PO4− and carboxylates, such as p-nitrobenzoate (p-nbz−), phthalate (ph2−), isophthalate (iph2−) and dipicolinate (dipic2−). 1H NMR titrations in CD3OD indicated that this receptor is not suitable for recognizing HSO4− and H2PO4−, but weakly binds p-nbz−

  已经合成并表征了包含二茂铁部分的四氮杂大环。该化合物的tetraprotonated形式被评价为对阴离子识别几种底物（S），氯的受体（R）-，PF 6 -，HSO 4 -，H 2 PO 4 -和羧酸盐，如p -nitrobenzoate（p -nbz - ），邻苯二甲酸酯（PH 2-），间苯二甲酸酯（IPH 2-）和吡啶二羧酸（dipic 2-）。CD 3 OD中的1 H NMR滴定表明该受体不适合识别HSO 4-和H 2 PO 4 - ，但弱结合p -nbz - ，并强烈随pH相互作用2-，dipic 2-，和IPH 2-阴离子形成1：2个组装物种。最大β 2结合常数被用于pH测定2-，随后dipic 2-最后IPH 2-。使用循环伏安法（CV）和方波伏安法（SWV）在甲醇溶液和0.1 mol dm -3 （CH 3） 4中评估了阴离子底物对R的二茂铁单元电子转移过程的影响。NCl作为支
• Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method
  申请人：Shinetsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP1845132A2

  公开（公告）日：2007-10-17

  A silicon-containing film is formed from a heat curable composition comprising (A) a silicon-containing compound obtained by effecting hydrolytic condensation of a hydrolyzable silicon compound in the presence of an acid catalyst, and substantially removing the acid catalyst from the reaction mixture, (B) a hydroxide or organic acid salt of lithium, sodium, potassium, rubidium or cesium, or a sulfonium, iodonium or ammonium compound, (C) an organic acid, and (D) an organic solvent. The silicon-containing film allows an overlying photoresist film to be patterned effectively. The composition is effective in minimizing the occurrence of pattern defects after lithography and is shelf stable.

  含硅薄膜由一种热固化组合物形成，该组合物包括：(A) 一种含硅化合物，该化合物是通过在酸催化剂存在下使一种可水解的硅化合物发生水解缩合，并从反应混合物中基本除去酸催化剂而获得；(B) 锂、钠、钾、铷或铯的氢氧化物或有机酸盐，或一种锍、碘或铵化合物；(C) 一种有机酸；以及 (D) 一种有机溶剂。含硅薄膜可以有效地将上覆的光刻胶薄膜图案化。该组合物能有效地减少光刻后图案缺陷的出现，并具有货架稳定性。
• Metal oxide-containing film-forming composition, metal oxide-containing film, metal oxide-containing film-bearing substrate, and patterning method
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2063319A1

  公开（公告）日：2009-05-27

  A metal oxide-containing film is formed from a heat curable composition comprising (A) a metal oxide-containing compound obtained through hydrolytic condensation between a hydrolyzable silicon compound and a hydrolyzable metal compound, (B) a hydroxide or organic acid salt of Li, Na, K, Rb or Cs, or a sulfonium, iodonium or ammonium compound, (C) an organic acid, and (D) an organic solvent. The metal oxide-containing film ensures effective pattern formation.

  一种含金属氧化物的薄膜由一种热固化组合物形成，该组合物包括：(A) 通过可水解硅化合物和可水解金属化合物之间的水解缩合获得的含金属氧化物化合物；(B) Li、Na、K、Rb 或 Cs 的氢氧化物或有机酸盐，或锍、碘或铵化合物；(C) 有机酸；以及 (D) 有机溶剂。含金属氧化物的薄膜可确保有效的图案形成。
• Composition for forming silicon-containing film, silicon-containing film-formed substrate and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2172807A1

  公开（公告）日：2010-04-07

  There is disclosed a thermosetting composition for forming a silicon-containing film to form a silicon-containing film formed in a multilayer resist process used in lithography, including at least (A) a silicon-containing compound obtained by hydrolyzing and condensing a hydrolyzable silicon compound using an acid as a catalyst, (B) a thermal crosslinking accelerator (C) a monovalent or bivalent or more organic acid having 1 to 30 carbon atoms, (D) trivalent or more alcohol and (E) an organic solvent. There can be provided a composition for a silicon-containing film which can form a good pattern in a photoresist film, can form a silicon-containing film for an etching mask having a good dry etching resistance, can give a good storage stability and can be delaminated with a solution used in a delamination process in a multilayer resist process used for lithography, a substrate on which the silicon-containing film is formed, and further a method for forming a pattern.

  本发明公开了一种用于形成含硅薄膜的热固性组合物，该组合物用于形成在光刻中使用的多层抗蚀剂工艺中形成的含硅薄膜，至少包括(A)通过使用酸作为催化剂水解和缩合可水解硅化合物而获得的含硅化合物，(B)热交联促进剂，(C)具有 1 至 30 个碳原子的一价或二价或更多有机酸，(D)三价或更多醇，以及(E)有机溶剂。本发明可以提供一种含硅薄膜的组合物，该组合物可以在光刻胶膜中形成良好的图案，可以形成用于蚀刻掩膜的含硅薄膜，该薄膜具有良好的耐干蚀刻性，可以提供良好的储存稳定性，并且可以用用于光刻的多层抗蚀剂工艺中的分层工艺中使用的溶液进行分层，还可以提供一种在其上形成含硅薄膜的基底，以及进一步提供一种形成图案的方法。
• Patterning process and composition for forming silicon-containing film usable therefor
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2500775A2

  公开（公告）日：2012-09-19

  The invention provides a patterning process for forming a negative pattern by lithography, comprising at least the steps of:using a composition for forming silicon-containing film, containing specific silicon-containing compound (A) and an organic solvent (B), to form a silicon-containing film; using a silicon-free resist composition to form a photoresist film on the silicon-containing film; heat-treating the photoresist film, and subsequently exposing the photoresist film to a high energy beam; and using a developer comprising an organic solvent to dissolve an unexposed area of the photoresist film, thereby obtaining a negative pattern. There can be a patterning process, which is optimum as a patterning process of a negative resist to be formed by adopting organic solvent-based development, and a composition for forming silicon-containing film to be used in the process.

  本发明提供了一种通过光刻法形成底片图案的制图工艺，至少包括以下步骤：使用含有特定含硅化合物（A）和有机溶剂（B）的用于形成含硅薄膜的组合物形成含硅薄膜；使用无硅抗蚀剂组合物在含硅薄膜上形成光刻胶膜；对光刻胶膜进行热处理，然后将光刻胶膜暴露于高能光束；以及使用含有有机溶剂的显影剂溶解光刻胶膜的未暴露区域，从而获得负图案。可以有一种图案化工艺，它是通过采用基于有机溶剂的显影来形成阴性抗蚀剂的最佳图案化工艺，以及在该工艺中使用的用于形成含硅薄膜的组合物。