1,1,3,3,3-pentafluoro-2-propan-2-ylpivalate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-propan-2-ylpivalate
• 英文别名: 1,1,1,3,3-Pentafluoropropan-2-yl 2,2-dimethylpropanoate；1,1,1,3,3-pentafluoropropan-2-yl 2,2-dimethylpropanoate
• 化学式: C₈H₁₁F₅O₂
• 分子量: 234.166
• InChiKey: VPNBROHZVLDWAR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.5
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.88
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,1,3,3,3-pentafluoro-2-propan-2-ylpivalate 在 sodium hydrogensulfite 作用下， 以 二氯甲烷 、 水 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 4-fluorophenyldiphenylsulfonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-pivaloyloxypropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  SULFONIUM SALT-CONTAINING POLYMER, RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND SULFONIUM SALT MONOMER AND MAKING METHOD

  摘要：

  一种含有4-氟苯基的磺鎵盐被引入到聚合物中，该聚合物包含羟基苯基（甲基）丙烯酸酯单元和含酸性易裂解基团的（甲基）丙烯酸酯单元，形成一种聚合物，可用作抗蚀剂组成中的基础树脂。抗蚀剂组成具有高灵敏度、高分辨率和最小化LER。

  公开号：

  US20140296561A1

文献信息

• Resist patterning process and manufacturing photo mask
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2146247A1

  公开（公告）日：2010-01-20

  There is disclosed a resist patterning process with a minimum line width of 65 nanometers or less may be formed by using a resist composition containing a polymer, as a base polymer of a chemically-amplified resist composition, composed of a styrene unit whose hydroxyl group is protected by an acid labile group, and an indene unit, and/or an acenaphthalene unit, wherein the polymer has the weight-average molecular weight of 4,000 to 7,000, and in particular, 4,500 to 5,500.One of the currently existing problems to be solved is the line edge roughness. To solve this problem by an acid-generator and a basic compound, there is a problem of the trade-off relationship with a resolution power. There can be provided a resist composition having a high resolution containing a base polymer such as hydroxystyrene that is protected by an acid labile group, a resist patterning process with a pattern rule of 65 nanometers or less having a reduced line edge roughness.

  本发明公开了一种抗蚀剂图案化工艺，其最小线宽为 65 纳米或更小，方法是使用一种抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物含有一种聚合物，作为化学扩增抗蚀剂组合物的基体聚合物，该聚合物由苯乙烯单元（其羟基被一个耐酸基团保护）、茚单元和/或苊单元组成，其中该聚合物的重量平均分子量为 4,000 至 7,000，特别是 4,500 至 5,500。目前有待解决的问题之一是线边缘粗糙度。要通过酸性发生剂和碱性化合物来解决这个问题，就存在一个与分辨力的权衡关系问题。现在可以提供一种具有高分辨率的抗蚀剂组合物，它含有一种被酸性基团保护的碱聚合物（如羟基苯乙烯），这种抗蚀剂图案化工艺的图案规则为 65 纳米或更小，具有较低的线边缘粗糙度。
• Chemically amplified negative resist composition and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2492747A2

  公开（公告）日：2012-08-29

  A polymer comprising 0.5-10 mol% of recurring units having acid generating capability and 50-99.5 mol% of recurring units providing for dissolution in alkaline developer is used to formulate a chemically amplified negative resist composition. When used in a lithography process, the composition ensures an effective sensitivity, makes more uniform the distribution and diffusion of the acid generating component in a resist film, and suppresses deactivation of acid at the substrate interface. The pattern can be formed to a profile which is improved in LER and undercut.

  一种聚合物由 0.5-10 摩尔%的具有酸生成能力的递归单元和 50-99.5 摩尔%的可溶于碱性显影剂的递归单元组成，可用于配制化学放大负抗蚀剂组合物。在光刻工艺中使用时，该组合物可确保有效的灵敏度，使产生酸的成分在光刻胶膜中的分布和扩散更加均匀，并抑制酸在基底界面上的失活。图案可以形成轮廓，从而提高 LER 和底切效果。
• SULFONIUM SALT-CONTAINING POLYMER, RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND SULFONIUM SALT MONOMER AND MAKING METHOD
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20140296561A1

  公开（公告）日：2014-10-02

  A sulfonium salt having a 4-fluorophenyl group is introduced as recurring units into a polymer comprising hydroxyphenyl(meth)acrylate units and acid labile group-containing (meth)acrylate units to form a polymer which is useful as a base resin in a resist composition. The resist composition has a high sensitivity, high resolution and minimized LER.

  一种含有4-氟苯基的磺鎵盐被引入到聚合物中，该聚合物包含羟基苯基（甲基）丙烯酸酯单元和含酸性易裂解基团的（甲基）丙烯酸酯单元，形成一种聚合物，可用作抗蚀剂组成中的基础树脂。抗蚀剂组成具有高灵敏度、高分辨率和最小化LER。