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benzylmethylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate

中文名称
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中文别名
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英文名称
benzylmethylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate
英文别名
Benzyl-methyl-phenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate
benzylmethylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate化学式
CAS
——
化学式
CF3O3S*C14H15S
mdl
——
分子量
364.41
InChiKey
XUPORPRNDAVDHX-UHFFFAOYSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.55
  • 重原子数:
    23
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.2
  • 拓扑面积:
    66.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    (芳基甲基)甲基苯基s离子溶剂分解速率的相关性†
    摘要:
    所述benzylmethylphenylsulfonium离子(如三氟甲磺酸盐盐制备)和5苄基环上取代的衍生物的溶剂分解的特定速率可以使用良好地相关Ñ Ť溶剂的亲核性值。加入第二术语的,由芳环的参数(约束我),示出了向在该参数中的变化的灵敏度下降,这些朝向变化Ñ Ť随取代基的吸电子能力上升。具有吸电子取代基的哈米特ρ值(基于σ +值)从95%丙酮中的–0.9到97%2,2,2-三氟乙醇中的–1.8不等。将这些Grunwald-Winstein和Hammett分析与以前报道的,使用基本相同的溶剂和取代基进行的芳基甲基对甲苯磺酸盐溶剂化方法进行了比较。
    DOI:
    10.1039/a803859g
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文献信息

  • A PHOTORESIST IMAGE-FORMING PROCESS USING DOUBLE PATTERNING
    申请人:AZ Electronic Materials USA Corp.
    公开号:EP2389612A1
    公开(公告)日:2011-11-30
  • Photoresist Image-forming Process Using Double Patterning
    申请人:Cao Yi
    公开号:US20100183851A1
    公开(公告)日:2010-07-22
    A process for forming a double photoresist pattern is disclosed.
  • US7015256B2
    申请人:——
    公开号:US7015256B2
    公开(公告)日:2006-03-21
  • [EN] A PHOTORESIST IMAGE-FORMING PROCESS USING DOUBLE PATTERNING<br/>[FR] PROCÉDÉ DE FORMATION D'IMAGE DE PHOTORÉSERVE UTILISANT UNE DOUBLE FORMATION DE MOTIF
    申请人:AZ ELECTRONIC MATERIALS USA
    公开号:WO2010084372A1
    公开(公告)日:2010-07-29
    A process for forming a double photoresist pattern is disclosed.
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