N-[hexyl(methyl)carbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: N-[hexyl(methyl)carbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide
• 化学式: C₁₅H₂₀N₄O₅S
• 分子量: 368.414
• InChiKey: QFIPIYFLJUJDMH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.6
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.47
• 拓扑面积：
  156
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N-[hexyl(methyl)carbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide 、 nickel(II) acetate tetrahydrate 以 甲醇 、 乙醇 为溶剂， 反应 3.0h， 以68%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的对称和不对称镍（II）络合物作为单源前驱体，用于通过ACVD沉积硫化镍纳米结构薄膜

  摘要：

  摘要各种N-（二烷基氨基甲硫基）-硝基取代的苯甲酰胺[二烷基二丙基（2a）; 己基，甲基（2b）; 丁基，乙基（2c）; 乙基，异丙基（2d）]已合成，并通过元素分析，红外光谱，1H NMR和大气压化学电离质谱法进行了表征。配合物2a和2d的分子结构通过单晶X射线衍射确定。热重分析表明，配合物2a–c在一个步骤中分解，而配合物2d在两个步骤中分解，从而给出了对应于硫化镍的最终残留物。这些络合物用作单源前驱体，通过723 K的气溶胶辅助化学气相沉积法沉积硫化镍薄膜。从配合物2a和2c沉积的薄膜的粉末X射线衍射图显示出六方NiS相与球形微晶的沉积。由络合物2b沉积的薄膜显示出了镍矿NiS相的六方和菱面体体系。膜的表面粗糙度的程度通过原子力显微镜法确定。扫描电子显微镜和能量色散X射线分析结果表明，硫化镍在薄膜中的分布均匀，这使其在结构化表面上可能成为有用的半导体材料。膜的表面粗糙度的程度通过原子

  DOI：

  10.1016/j.poly.2014.08.023
• 作为产物：
  描述：

  3,5-二硝基苯甲酰氯 在 四丁基溴化铵 作用下， 以 丙酮 为溶剂， 反应 2.75h， 生成 N-[hexyl(methyl)carbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide
  参考文献：
  名称：

  N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的 双齿铜（ii）配合物的化学气相沉积法制成的半导体纳米结构硫化铜薄膜†

  摘要：

  各种N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的铜（II）配合物[二烷基=二正丁基（1a，2a）; 己基，甲基（3a）; 丁基乙基（4a）]已经合成并通过元素分析，红外光谱和大气压化学电离质谱（MS-APCI）进行了表征。配合物2a的分子结构通过单晶X射线衍射测定。这些络合物用作沉积的单源前体。硫化铜在350°C下通过气溶胶辅助化学气相沉积（AA-CVD）制成的薄膜。配合物3a和4a的薄膜的粉末X射线衍射（p-XRD）图谱显示菱形方铁矿的Cu 9 S 5相的沉积，配合物1a在350°C的条件下沉积的单斜方斜晶石Cu 7 S 4相的球形微晶。配合物2a沉积正交晶状苯胺铜Cu 7 S 4球形微晶相。膜表面的粗糙度通过原子力显微镜（AFM）确定。扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线分析（EDXA）结果表明，硫化铜 在薄膜中，它使它们在结构化表面上成为有用的半导体材料。

  DOI：

  10.1039/c3nj00668a

文献信息

• Semiconducting nanostructured copper sulfide thin films from bidentate copper(ii) complexes of N-(dialkylcarbamothioyl)-nitrosubstituted benzamides by chemical vapour deposition
  作者：Sohail Saeed、Naghmana Rashid、Rizwan Hussain、Muhammad Azad Malik、Paul O'Brien、Wing-Tak Wong

  DOI：10.1039/c3nj00668a

  日期：——

  films by aerosol assisted chemical vapour deposition (AA-CVD) at 350 °C. The powder X-ray diffraction (p-XRD) patterns of the thin films of complexes 3a and 4ashowed the deposition of rhombohedral digenite Cu9S5 phase, and complex 1a deposited monoclinic roxbyite Cu7S4 phase at 350 °C with spherical crystallites. Complex 2a deposited orthorhombic anilite Cu7S4 phase with spherical crystallites. The degree

  各种N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的铜（II）配合物[二烷基=二正丁基（1a，2a）; 己基，甲基（3a）; 丁基乙基（4a）]已经合成并通过元素分析，红外光谱和大气压化学电离质谱（MS-APCI）进行了表征。配合物2a的分子结构通过单晶X射线衍射测定。这些络合物用作沉积的单源前体。硫化铜在350°C下通过气溶胶辅助化学气相沉积（AA-CVD）制成的薄膜。配合物3a和4a的薄膜的粉末X射线衍射（p-XRD）图谱显示菱形方铁矿的Cu 9 S 5相的沉积，配合物1a在350°C的条件下沉积的单斜方斜晶石Cu 7 S 4相的球形微晶。配合物2a沉积正交晶状苯胺铜Cu 7 S 4球形微晶相。膜表面的粗糙度通过原子力显微镜（AFM）确定。扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线分析（EDXA）结果表明，硫化铜 在薄膜中，它使它们在结构化表面上成为有用的半导体材料。
• Deposition and characterization of Cu$_{9}$S$_{5}$ nanocrystals from unsymmetrical [(Hex)(Me)NC(S)NC(O)C$_{6}$H$_{3}$(NO$_{2})_{2}$-3,5]$_{2}$Cu(II) and [(Et)(Bu)NC(S)NC(O)C$_{6}$H$_{4}$-4-NO$_{2}$]$_{2}$Cu(II) complexes by colloidal thermolysis method
  作者：Sohail SAEED、Rizwan HUSSAIN

  DOI：10.3906/kim-1305-47

  日期：——

  Cu_9S_5 nanocrystals were synthesized from unsymmetrical [(Hex)(Me)NC(S)NC(O)C_6H_3(NO_2)_2-3,5]_2Cu(II) and [(Et)(Bu)NC(S)NC(O)C_6H_4-4-NO_2]_2 Cu(II) complexes by colloidal thermolysis in the presence of surfactant oleylamine. The unsymmetrical copper complexes were synthesized by the reaction of copper(II) acetate with N-[hexyl(methyl)carbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide and N-[ethyl(butyl)carbamothioyl]-4-nitrobenzamide. The complexes were used as single-source precursors for the preparation of Cu_9S_5 nanocrsytals. The Cu_9S_5 nanocrystals were characterized by X-ray powder diffraction and transmission electron microscopy.

  在表面活性剂油胺的存在下，通过胶体热解合成了非对称的[(Hex)(Me)NC(S)NC(O)C_6H_3(NO_2)_2-3,5]_2Cu(II)和[(Et)(Bu)NC(S)NC(O)C_6H_4-4-NO_2]_2 Cu(II)络合物的 Cu_9S_5 纳米晶体。非对称铜络合物是由醋酸铜（II）与 N-[己基（甲基）氨基甲酰基]-3,5-二硝基苯甲酰胺和 N-[乙基（丁基）氨基甲酰基]-4-硝基苯甲酰胺反应合成的。这些配合物被用作制备 Cu_9S_5 纳米sytals 的单源前体。通过 X 射线粉末衍射和透射电子显微镜对 Cu_9S_5 纳米晶体进行了表征。
• Symmetrical and unsymmetrical nickel(II) complexes of N-(dialkylcarbamothioyl)-nitro substituted benzamide as single-source precursors for deposition of nickel sulfide nanostructured thin films by AACVD
  作者：Sohail Saeed、Khuram Shahzad Ahmed、Naghmana Rashid、Mohammad Azad Malik、Paul O’Brien、Masood Akhtar、Rizwan Hussain、Wing-Tak Wong

  DOI：10.1016/j.poly.2014.08.023

  日期：2015.1

  by single-crystal X-ray diffraction. Thermogravimetric analysis shows that complexes 2a–c decompose in a single step and complex 2d decomposes in two-steps to give a final residue corresponding to nickel sulfides. These complexes were used as single-source precursors for the deposition of nickel sulfide thin films by aerosol assisted chemical vapor deposition at 723 K. Powder X-ray diffraction patterns

  摘要各种N-（二烷基氨基甲硫基）-硝基取代的苯甲酰胺[二烷基二丙基（2a）; 己基，甲基（2b）; 丁基，乙基（2c）; 乙基，异丙基（2d）]已合成，并通过元素分析，红外光谱，1H NMR和大气压化学电离质谱法进行了表征。配合物2a和2d的分子结构通过单晶X射线衍射确定。热重分析表明，配合物2a–c在一个步骤中分解，而配合物2d在两个步骤中分解，从而给出了对应于硫化镍的最终残留物。这些络合物用作单源前驱体，通过723 K的气溶胶辅助化学气相沉积法沉积硫化镍薄膜。从配合物2a和2c沉积的薄膜的粉末X射线衍射图显示出六方NiS相与球形微晶的沉积。由络合物2b沉积的薄膜显示出了镍矿NiS相的六方和菱面体体系。膜的表面粗糙度的程度通过原子力显微镜法确定。扫描电子显微镜和能量色散X射线分析结果表明，硫化镍在薄膜中的分布均匀，这使其在结构化表面上可能成为有用的半导体材料。膜的表面粗糙度的程度通过原子