General Synthesis of Homoleptic Indium Alkoxide Complexes and the Chemical Vapor Deposition of Indium Oxide Films
作者:Seigi Suh、David M. Hoffman
DOI:10.1021/ja000845a
日期:2000.10.1
A general synthetic route to homoleptic indium alkoxide complexes was developed, and one of the new compounds was used as a precursor to transparent, conductive indium oxide films. The amide complex In[N-t-Bu(SiMe3)]3 reacted with t-BuOH, EtMe2COH, Et2MeCOH and i-PrMe2COH to yield the dimers [In(μ-OR)(OR)2]2 (R = t-Bu, CMe2Et, CMeEt2, and CMe2i-Pr) in high yield. Similar reactions of In[N-t-Bu(SiMe3)]3
开发了均质铟醇盐配合物的一般合成路线,并将其中一种新化合物用作透明导电氧化铟薄膜的前体。酰胺复合物 In[Nt-Bu(SiMe3)]3 与 t-BuOH、EtMe2COH、Et2MeCOH 和 i-PrMe2COH 反应生成二聚体 [In(μ-OR)(OR)2]2 (R = t-Bu, CMe2Et、CMeEt2 和 CMe2i-Pr) 的产量高。In[Nt-Bu(SiMe3)]3 与体积较小的醇 i-PrOH 和 Et2HCOH 的类似反应分别产生不溶性 [In(Oi-Pr)3]n 和四聚体 In[(μ-OCHEt2)2In( OCHEt2)2]3,它有一个六配位的中心铟原子被三个四配位的铟原子包围。化合物 [In(Oi-Pr)3]n 和 In[(μ-OCHEt2)2In(OCHEt2)2]3 也是通过 [In(μ-Ot-Bu)(Ot-Bu)2]2 与过量的相应醇。尝试通过热分解 [In(Oi-Pr)3]n