制备了
9,9'-螺二芴基邻碳
硼基化合物 C1 和 C2,并通过多核核磁共振 (NMR) 光谱和元素分析对其进行了充分表征。C1 的固态结构也由单晶 X 射线衍射测定。这两种碳
硼烷化合物显示出主要的吸收带,这些吸收带分配给涉及其螺二
芴基团的 π-π* 跃迁,以及邻碳
硼烷与其螺二
芴基团之间的弱分子内电荷转移 (ICT) 跃迁。虽然 C1 在 298 K 的 THF 中仅表现出高能发射(λem = ca. 350 nm),这是由于局部激发(LE)态可分配给仅涉及螺二
芴基团的 π−π* 跃迁,在低能在刚性状态下观察到区域,例如在 77 K 的 THF 或薄膜状态下。此外,C2 在所有状态的高能区和低能区都显示出强烈的双发射模式。基于基态 (S0) 和第一激发 (S1) 态优化结构的每种化合物通过时间相关的 DFT (TD-DFT) 计算的电子跃迁清楚地证实了低能量发射是由于基于 ICT 的辐射腐烂。基于与