1,3,6-三硝基芘 | 75321-19-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 芘
• 中文名称: 1,3,6-三硝基芘
• 中文别名: 吡嗪,2,3-二甲基-5-(1-甲基乙基)-,1,4-二氧化(9CI)
• 英文名称: 1,3,6-trinitropyrene
• CAS: 75321-19-6
• 化学式: C₁₆H₇N₃O₆
• 分子量: 337.248
• InChiKey: BXOXVTWMJCUYLW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  473.58°C (rough estimate)
• 密度：
  1.3787 (rough estimate)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.5
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  138
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  芘 在 硝酸 作用下， 反应 12.0h， 生成 1,3,6-三硝基芘
  参考文献：
  名称：

  在合成源自芘的低氧含量碳纳米点中识别分子荧光团杂质

  摘要：

  碳点（C-dots）是一类很有前途的碳纳米材料，可用于生物成像、催化和光电子学。然而，最近有报道称，在合成碳点时会同时产生明亮的分子荧光团，特别是通过自下而上的方法（碳纳米点 (CND)）制备的碳点，这些报告通常来自柠檬酸前体，从而扰乱了它们的应用。高发射分子荧光团的存在掩盖了 CND 的真实性能，并严重挑战了 CND 的发展。在这里，我们观察到分子荧光团杂质的问题对于衍生自不同类型前体多环芳烃 (PAH) 的 CND 来说仍然是个问题。在这项研究中，低氧含量的CNDs和小分子荧光团是通过硝基芘的水热缩合产生的。柱色谱分离和溶剂诱导萃取后的广泛和系统表征表明，分子荧光团和 CND 在结构和光学性质上明显不同。这项工作强调，不仅对亲水性 CND，而且对低氧含量的 CND，都需要采取严格的分离和纯化步骤。

  DOI：

  10.1039/d2nj00430e

文献信息

• Oxygen vacancy mediated charge transfer expediting over GQDs/TiO2 for enhancing photocatalytic removal of Cr (VI) and RhB synchronously
  作者：Xue Bai、Yali Ji、Mengyao She、Quanquan Li、Kerou Wan、Zhuo Li、Enzhou Liu、Jianli Li

  DOI：10.1016/j.jallcom.2021.161872

  日期：2022.1

  (VI) and RhB co-removing system. Further investigation revealed that Vo introduced a defect level in TiO2 just below its conduction band that could induce visible light excitation while leading to quick charge separation and effective transmission from GQDs to TiO2. Therefore, carrying out photocatalytic Cr (VI) reduction and RhB degradation synchronously over GQDs/TiO2 can roughly enhance 2 and 3 times

  了解光生载流子的潜在传输机制对于设计光催化领域的活性异质结至关重要。在这项研究中，通过在可见光照射下进行水处理，研究了石墨烯量子点/TiO 2 (GQDs/TiO 2 ) 杂化物的氧化还原活性。相应的结果显示，GQDs和TiO之间的电荷转移2伴随着氧空位（V ö）被加速，导致在Cr罗丹明B CO移除系统增强的氧化还原活性的（VI）和。进一步的研究表明，V o在 TiO 2 中引入了缺陷能级刚好低于其导带，可以诱导可见光激发，同时导致快速电荷分离和从 GQD 到 TiO 2 的有效传输。因此，在GQDs/TiO 2 上同步进行光催化Cr (VI) 还原和RhB 降解可以在可见光照射下将纯TiO 2纳米片大致提高2 到3 倍。这项研究的发现可能为异质结工程和缺陷水平控制提供新的见解，以获得有效的光催化剂，并为光催化应用提供额外的前景。
• HARDMASK COMPOSITION, METHOD OF FORMING PATTERN USING HARDMASK COMPOSITION, AND HARDMASK FORMED FROM HARDMASK COMPOSITION
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：EP3428722A1

  公开（公告）日：2019-01-16

  Provided are a hardmask composition including a structure represented by Formula 1 and a solvent, a method of forming a pattern using the hardmask composition, and a hardmask formed from the hardmask composition. wherein in Formula 1, R1 to Rs, X, and M are described in detail in the detailed description.

  本文提供了一种包括由式 1 表示的结构和一种溶剂的硬掩膜组合物、一种使用该硬掩膜组合物形成图案的方法，以及一种由该硬掩膜组合物形成的硬掩膜。 其中，式 1 中的 R1 至 Rs、X 和 M 在详细说明中作了详细描述。
• Hardmask composition, method of forming pattern using the hardmask composition, and hardmask formed from the hardmask composition
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US10424490B2

  公开（公告）日：2019-09-24

  Provided are a hardmask composition and a method of forming a fine pattern using the hardmask composition, the hardmask composition including a solvent, a 2D carbon nanostructure (and/or a derivative thereof), and a 0D carbon nanostructure (and/or a derivative thereof).

  本文提供了一种硬掩膜组合物和一种使用硬掩膜组合物形成精细图案的方法，硬掩膜组合物包括溶剂、二维碳纳米结构（和/或其衍生物）以及零维碳纳米结构（和/或其衍生物）。
• Hardmask composition, method of forming pattern by using the hardmask composition, and hardmask formed using the hardmask composition
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US10685844B2

  公开（公告）日：2020-06-16

  Provided are a hardmask composition, a method of forming a pattern using the hardmask composition, and a hardmask formed using the hardmask composition. The hardmask composition includes a polar nonaqueous organic solvent and one of: i) a mixture of graphene quantum dots and at least one selected from a diene and a dienophile, ii) a Diels-Alder reaction product of the graphene quantum dots and the at least one selected from a diene and a dienophile, iii) a thermal treatment product of the Diels-Alder reaction product of graphene quantum dots and the at least one selected from a diene and a dienophile, or iv) a combination thereof.

  本文提供了一种硬掩膜组合物、一种使用硬掩膜组合物形成图案的方法，以及一种使用硬掩膜组合物形成的硬掩膜。硬掩膜组合物包括极性非水有机溶剂和以下物质之一：i) 石墨烯量子点和至少一种选自二烯烃和亲二烯烃的混合物；ii) 石墨烯量子点和至少一种选自二烯烃和亲二烯烃的 Diels-Alder 反应产物；iii) 石墨烯量子点和至少一种选自二烯烃和亲二烯烃的 Diels-Alder 反应产物的热处理产物；或 iv) 它们的组合。
• Method of preparing graphene quantum dot, hardmask composition including the graphene quantum dot obtained by the method, method of forming patterns using the hardmask composition, and hardmask formed from the hardmask composition
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US10808142B2

  公开（公告）日：2020-10-20

  Provided are a method of preparing a graphene quantum dot, a graphene quantum dot prepared using the method, a hardmask composition including the graphene quantum dot, a method of forming a pattern using the hardmask composition, and a hardmask obtained from the hardmask composition. The method of preparing a graphene quantum dot includes reacting a graphene quantum dot composition and an including a polyaromatic hydrocarbon compound and an organic solvent at an atmospheric pressure and a temperature of about 250° C. The polyaromatic hydrocarbon compound may include at least four aromatic rings.

  本发明提供了一种制备石墨烯量子点的方法、一种使用该方法制备的石墨烯量子点、一种包括石墨烯量子点的硬掩膜组合物、一种使用硬掩膜组合物形成图案的方法，以及一种由硬掩膜组合物获得的硬掩膜。制备石墨烯量子点的方法包括在大气压和约 250° C 的温度下，使石墨烯量子点组合物与包括多芳烃化合物和有机溶剂的物质反应。