2,3-二氢-1H-茚-5-羧酸乙酯 | 105640-11-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 茚满类
• 中文名称: 2,3-二氢-1H-茚-5-羧酸乙酯
• 中文别名: 茚满-5-甲酸乙酯
• 英文名称: Indancarbonsaeure-(5)-ethylester
• 英文别名: indan-5-carboxylic acid ethyl ester；Indan-5-carbonsaeure-aethylester；Ethyl Indane-5-carboxylate；ethyl 2,3-dihydro-1H-indene-5-carboxylate
• CAS: 105640-11-7
• 化学式: C₁₂H₁₄O₂
• mdl: MFCD12179700
• 分子量: 190.242
• InChiKey: MISHXOQPTHQOTJ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  156 °C(Press: 20 Torr)
• 密度：
  1.070 g/cm3(Temp: 24 °C)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.416
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

安全信息

• 危险性防范说明：
  P261,P280,P301+P312,P302+P352,P305+P351+P338
• 危险性描述：
  H302,H315,H319,H335

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,3-二氢-1H-茚-5-羧酸乙酯 在 lithium aluminium tetrahydride 、 乙醚 作用下， 生成 5-羟基甲基茚满
  参考文献：
  名称：

  Dev, Journal of the Indian Chemical Society, 1955, vol. 32, p. 403,409

  摘要：

  DOI：

文献信息

• NOVEL SULFONIUM SALT, POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20110189607A1

  公开（公告）日：2011-08-04

  There is disclosed a sulfonium salt represented by the following general formula (1). In the formula, X and Y each represents a group having a polymerizable functional group; Z represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 33 carbon atoms optionally containing a hetero atom; R 1 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms optionally containing a hetero atom; and R 2 and R 3 each represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms optionally containing a hetero atom or R 2 and R 3 may be bonded with each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula. There can be provided a sulfonium salt usable as a resist composition providing high resolution and excellent in LER in photolithography using a high energy beam such as an ArF excimer laser, an EUV light and an electron beam as a light source, a polymer obtained from the sulfonium salt, a resist composition containing the polymer and a patterning process using the resist composition.

  本发明公开了一种由下列通式（1）表示的烷基磺鎵盐。在该式中，X和Y分别表示具有可聚合官能团的基团；Z表示具有1至33个碳原子的双价碳氢基团，可选地含有一个杂原子；R1表示具有1至36个碳原子的双价碳氢基团，可选地含有一个杂原子；R2和R3分别表示具有1至30个碳原子的单价碳氢基团，可选地含有一个杂原子，或者R2和R3可以与该式中的硫原子一起形成环。可以提供一种可用作抗蚀剂组分的烷基磺鎵盐，该抗蚀剂组分在使用高能束如ArF准分子激光、EUV光和电子束作为光源的光刻工艺中，提供高分辨率和优异的LER，以及从该烷基磺鎵盐得到的聚合物、包含该聚合物的抗蚀剂组分和使用该抗蚀剂组分进行图案化处理的方法。
• US8691490B2
  申请人：——

  公开号：US8691490B2

  公开（公告）日：2014-04-08
• Dev, Journal of the Indian Chemical Society, 1955, vol. 32, p. 403,409
  作者：Dev

  DOI：——

  日期：——