使用Rh 2 II由邻
噻吩取代的芳基
叠氮化物合成了一系列N-杂
庚酮催化CH键胺化反应以构建
噻吩并
吲哚部分。该反应可耐受芳基
叠氮化物上给电子或吸电子基团的存在,而不会对胺化反应的收率产生不利影响。中心
噻吩环是由两个
噻吩并
吲哚碎片通过
钯催化的斯蒂勒反应(Stille)安装
硫醚,然后由
铜介导的厄尔曼反应(Ullman reaction)触发环化反应而形成的。N-杂庚烯的聚焦文库的光物理和电
化学性质表明,电子性质受
芳烃取代基控制,而生长的单晶表明堆积基序受N-取代基影响。溶液加工的薄膜OFET器件是用N-庚基庚烯制造的,其中一个具有0.02 cm的空穴迁移率2 V -1 s -1。