在改性
蒙脱土的纳米孔中原位生成Pd 0-纳米颗粒及其在碳-碳键形成中的催化性能,即Heck和Sonogashira反应。
蒙脱土的改性是通过在受控条件下用H 2 SO 4活化以在表面上产生纳米孔而进行的,纳米孔充当Pd 0纳米粒子的“基质”,并通过初次加载K 2 PdCl 4
金属前体来制备。湿法浸渍技术,然后用
水合
肼还原。粉末XRD,
SEM-EDX,
TEM,N 2进行了吸附,XPS等分析,以表征稳定的纳米颗粒以及载体。
TEM研究表明,尺寸小于10 nm的Pd 0-纳米颗粒均匀分布在载体上,并表现出面心立方(fcc)晶格。负载的
金属纳米粒子可作为高效的非均相催化剂用于Heck偶联反应,其中芳基卤化物与烯烃的
乙烯基化可产生交叉偶联产物,最大分离产率为96%,反式> 99%在芳基卤化物与末端
炔烃烷基化的同时,即在Sonogashira偶联反应中,具有最高的选择性,分离出的最高收率为94%,选择性的