N-(p-Toluolsulfonyl)-benzimidsaeure-methylester | 22158-84-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: N-(p-Toluolsulfonyl)-benzimidsaeure-methylester
• 英文别名: Methyl-N-p-tolylsulfonylbenzimidat；methyl N-(4-methylphenyl)sulfonylbenzenecarboximidate
• CAS: 22158-84-5
• 化学式: C₁₅H₁₅NO₃S
• 分子量: 289.355
• InChiKey: UZTMHPISHVUITN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.5
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.13
• 拓扑面积：
  64.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dimethyl(phenyl)silyl lithium 、 N-(p-Toluolsulfonyl)-benzimidsaeure-methylester 在 碳酸氢钠 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 以90%的产率得到N-((dimethyl(phenyl)silyl)(methoxy)(phenyl)methyl)-4-methylbenzenesulfonamide
  参考文献：
  名称：

  Efficient Synthesis of α-Tertiary α-Silylamines from Aryl Sulfonylimidates via One-Pot, Sequential C–Si/C–C Bond Formations

  摘要：

  An efficient and flexible route for the synthesis of alpha-tertiary (alpha,alpha-dibranched) alpha-silylamines via sequential reactions of sulfonylimidates using readily available phenyldimethylsilyllithium and Grignard reagents is described. The procedure allows successive formation of C-Si/C-C bonds In a single flask.

  DOI：

  10.1021/ol301194e
• 作为产物：
  描述：

  N-(氯苯基亚甲基)-4-甲基苯磺酰胺 以 乙醚 、 丙酮 为溶剂， 生成 N-(p-Toluolsulfonyl)-benzimidsaeure-methylester
  参考文献：
  名称：

  Dubina,V.L.; Skripets,V.I., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1976, vol. 12, p. 333 - 338

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Dubina,V.L.; Skripets,V.I., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1976, vol. 12, p. 333 - 338
  作者：Dubina,V.L.、Skripets,V.I.

  DOI：——

  日期：——
• Efficient Synthesis of α-Tertiary α-Silylamines from Aryl Sulfonylimidates via One-Pot, Sequential C–Si/C–C Bond Formations
  作者：Xiao-Jun Han、Ming Yao、Chong-Dao Lu

  DOI：10.1021/ol301194e

  日期：2012.6.1

  An efficient and flexible route for the synthesis of alpha-tertiary (alpha,alpha-dibranched) alpha-silylamines via sequential reactions of sulfonylimidates using readily available phenyldimethylsilyllithium and Grignard reagents is described. The procedure allows successive formation of C-Si/C-C bonds In a single flask.