2,2-dimethyl-butyric acid anilide | 50993-20-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2,2-dimethyl-butyric acid anilide
• 英文别名: 2,2-Dimethyl-buttersaeure-anilid；2,2-Dimethyl-buttersaeureanilid；2,2-dimethyl-N-phenylbutanamide
• CAS: 50993-20-9
• 化学式: C₁₂H₁₇NO
• 分子量: 191.273
• InChiKey: LZPCZSSEPQIFNT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.3
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.42
• 拓扑面积：
  29.1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2-dimethyl-butyric acid anilide 、 p-tolyl(mesityl)iodonium triflate 在 bis[dichloro(pentamethylcyclopentadienyl)iridium(III)] 、 双三氟甲烷磺酰亚胺银盐 、 三甲基乙酸 作用下， 以 环己烷 为溶剂， 反应 12.0h， 以74%的产率得到2,2-dimethyl-N-(4'-methyl-[1,1'-biphenyl]-2-yl)butanamide
  参考文献：
  名称：

  铱 (III) 催化的 C-H 键与二芳基碘盐的直接芳基化

  摘要：

  通过开发一种新的 Ir(III) 催化的 CC 交叉偶联，已经建立了一种将酮肟、含氮杂环、各种芳烃和烯烃中的 sp(2) 和 sp(3) CH 键直接芳基化的通用方法。该芳基化的关键取决于适当的催化剂选择和使用二芳基碘鎓Triflate Salts作为偶联伴侣。这种转化具有良好的官能团兼容性，可以作为复杂化合物后期 CH 芳基化的有力合成工具。通过密度泛函理论计算的机理研究表明 sp(3) CH 活化是通过三氟甲磺酸酯参与的协同金属化-去质子化过程实现的，当双氟甲磺酰亚胺包含在二芳基碘鎓盐中。

  DOI：

  10.1021/jacs.5b06758
• 作为产物：
  描述：

  2,2-二甲基丁酰氯 、 苯胺 在 乙醚 作用下， 生成 2,2-dimethyl-butyric acid anilide
  参考文献：
  名称：

  Hommelen, Bulletin des Societes Chimiques Belges, 1933, vol. 42, p. 243,249

  摘要：

  DOI：

文献信息

• The first one-pot amidation of alkanes and cycloalkanes
  作者：Irena S. Akhrem、Dzul’etta V. Avetisyan、Lyudmila Afanas’eva、Sergei V. Vitt、Pavel V. Petrovskii、Alexander Orlinkov

  DOI：10.1016/j.tetlet.2007.12.070

  日期：2008.2

  Alkanes (or cycloalkanes) and CO in the presence of superelectrophilic systems CX4·2AlBr3 (X = Cl, Br) have been applied for the first time as equivalents of acylium salts in one-pot selective syntheses of amides from amines.

  在超亲电体系CX 4 ·2AlBr 3（X = Cl，Br）存在下，烷烃（或环烷烃）和CO首次作为acy盐的等同物首次应用于胺类胺的一锅选择性合成中。
• RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN AND POLYMERIC COMPOUND
  申请人：Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.

  公开号：US20140221673A1

  公开（公告）日：2014-08-07

  A resist composition including a base component (A) which exhibits changed solubility in a developing solution under action of acid and an acid-generator component (B) which generates acid upon exposure, the base component (A) containing a polymeric compound (A1) having a structural unit (a5) represented by general formula (a5-0) shown below (R 1 represents a sulfur atom or an oxygen atom; R 2 represents a single bond or a divalent linking group; and Y represents an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group having a polycyclic group, provided that the aromatic hydrocarbon group or the aliphatic hydrocarbon may have a carbon atom or a hydrogen atom thereof substituted with a substituent.

  一种抗蚀组合物，包括基础组分（A），在酸的作用下在显影溶液中表现出改变的溶解性，以及在暴露后生成酸的酸发生器组分（B），基础组分（A）包含具有下述通用式（a5-0）所示的结构单元（a5）的聚合物化合物（A1）（R1代表硫原子或氧原子；R2代表单键或二价连接基团；Y代表芳香烃基团或具有多环基团的脂肪烃基团，前提是芳香烃基团或脂肪烃基团可以有其中的碳原子或氢原子被取代的取代基）。
• RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, AND POLYMERIC COMPOUND
  申请人：TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

  公开号：US20130260312A1

  公开（公告）日：2013-10-03

  A resist composition which generates acid upon exposure and exhibits changed solubility in a developing solution under the action of acid, the resist composition including a base component that exhibits changed solubility in a developing solution under the action of acid, the base component containing a resin component having a structural unit represented by general formula (a0-1) shown below: in which R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, and X represents an oxygen atom, a sulfur atom, or an alkylene group of 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom.

  一种抗蚀组合物，暴露后产生酸并在酸的作用下在显影溶液中表现出改变的溶解度，该抗蚀组合物包括一种在酸的作用下在显影溶液中表现出改变的溶解度的碱性组分，该碱性组分包含具有下式（a0-1）所表示的结构单元的树脂组分：其中R1表示氢原子或1至5个碳原子的烷基；R2表示氢原子、1至5个碳原子的烷基或1至5个碳原子的卤代烷基；X表示氧原子、硫原子或1至5个碳原子的含氧原子或硫原子的亚烷基。
• PATTERN FORMING METHOD, COMPOSITION KIT AND RESIST FILM, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE USING THEM, AND ELECTRONIC DEVICE
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US20160018734A1

  公开（公告）日：2016-01-21

  There is provided a pattern forming method comprising (a) a step of forming a film on a substrate using an electron beam-sensitive or extreme ultraviolet radiation-sensitive resin composition, (b) a step of forming a top coat layer on the film using a top coat composition containing a resin (T) containing at least any one of repeating units represented by formulae (I-1) to (I-5) shown below, (c) a step of exposing the film having the top coat layer using an electron beam or an extreme ultraviolet radiation, and (d) a step of developing the film having the top coat layer after the exposure to form a pattern.

  提供了一种图案形成方法，包括以下步骤：(a)使用电子束敏感或极紫外辐射敏感的树脂组合物在基板上形成薄膜的步骤，(b)使用含有至少一个由下式(I-1)到(I-5)中所示的重复单元表示的树脂(T)的顶层涂料组成的顶层涂料层的形成步骤，(c)使用电子束或极紫外辐射照射具有顶层涂料层的薄膜的步骤，以及(d)在照射后开发具有顶层涂料层的薄膜以形成图案的步骤。
• Pattern forming method, composition kit and resist film, manufacturing method of electronic device using these, and electronic device
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US10031419B2

  公开（公告）日：2018-07-24

  There is provided a pattern forming method comprising (i) forming a film on a substrate using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which contains (A) a resin which decomposes due to an action of an acid to change its solubility with respect to a developer and (C) a specific resin, (ii) forming a top coat layer using a top coat composition which contains a resin (T) on the film, (iii) exposing the film which has the top coat layer to actinic rays or radiation, and (iv) forming a pattern by developing the film which has the top coat layer after the exposing.

  本发明提供了一种图案形成方法，包括(i)使用感光树脂组合物或辐射敏感树脂组合物在基底上形成胶片，该组合物包含(A)由于酸的作用而分解，从而改变其相对于显影剂的溶解度的树脂和(C)特定树脂、(ii) 使用含有树脂 (T) 的表层组合物在胶片上形成表层，(iii) 将具有表层的胶片暴露于放 射线或辐射，(iv) 在暴露后对具有表层的胶片进行显影，形成图案。