申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤(519980708960)
公开号:KR20150139770A
公开(公告)日:2015-12-14
레지스트 하층막 형성용 조성물에 첨가함으로써, 특히 KrF 노광 프로세스에 있어서 종래의 규소 함유 레지스트 하층막을 사용한 경우보다 반사를 억제하여, 패턴 형상을 개선하는 4급 암모늄염 화합물을 제공한다. 하기 일반식 (A-1)로 표시되는 4급 암모늄염 화합물. (식 중, R, R, R은, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 또는 아랄킬기를 나타내고, 일부 또는 전부의 수소 원자가 히드록실기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자에 의해 치환되어 있어도 좋으며, 카르보닐기, 에스테르 결합 중 1종 이상을 가지고 있어도 좋다. R는 단결합, 알킬렌기, 알케닐렌기, 아릴렌기, 또는 아랄킬렌기를 나타내고, 일부 또는 전부의 수소 원자가 알콕시기 또는 할로겐 원자에 의해 치환되어 있어도 좋으며, 에테르 결합, 카르보닐기, 에스테르 결합, 아미드 결합 중 1종 이상을 가지고 있어도 좋다. A는 비구핵성 대향 이온이다.)
通过添加到用于形成下层薄膜的光刻胶中,特别是在KrF光刻工艺中,提供了一种四级铵盐化合物,该化合物抑制反射,从而改善了图案形状,相比使用传统的含硅光刻胶下层薄膜。 该四级铵盐化合物表示为通式(A-1)。 (在式中,R,R,R表示烷基,醇基,芳基或芳烷基,其中一些或全部氢原子可以被羟基,氧代烷基或卤素原子取代,也可以具有一个或多个羰基,酯键。 R表示单键,烯丙基,烯丙基,芳基或芳烷基,其中一些或全部氢原子可以被氧代烷基或卤素原子取代,也可以具有一个或多个醚键,羰基,酯键,酰胺键。A是非核芳香离子。)