Electron‐Rich Phenothiazine Congeners and Beyond: Synthesis and Electronic Properties of Isomeric Dithieno[1,4]thiazines
作者:Lars May、Thomas J. J. Müller
DOI:10.1002/chem.202000137
日期:2020.9.21
intermolecular–intramolecular Buchwald–Hartwig amination starting from dihalodithienyl sulfides. The electronic properties of dithieno[1,4]thiazine isomers differ conspicuously over a broad range depending on the thiophene–thiazine anellation: a large cathodic (340 mV) or an anodic shift (130 mV) of the redox potentials relative to corresponding phenothiazines is possible. Structure–property relationships of
以二卤代二噻吩基硫化物为原料,通过分子间-分子内 Buchwald-Hartwig 胺化反应可以得到一系列异构二噻吩并[1,4]噻嗪。二噻吩并[1,4]噻嗪异构体的电子性质在很宽的范围内显着不同,具体取决于噻吩-噻嗪的排列:相对于相应的吩噻嗪,氧化还原电位的大阴极(340 mV)或阳极位移(130 mV)是可能的。从 DFT 计算和循环伏安法得出的二噻吩并[1,4]噻嗪结构的结构-性能关系不仅揭示了电子密度的增加,而且还揭示了自由基阳离子的不同离域,这显着决定了电化学性能。此外,由于可调电子丰富度的增加,光物理性质(吸收和发射)使二噻吩并[1,4]噻嗪有资格成为吩噻嗪等的有希望的替代品。