Photolytic decomposition of adsorbed tellurium and cadmium alkyl species at 295 K upon 193 nm photon irradiation
作者:C. D. Stinespring、A. Freedman
DOI:10.1063/1.99589
日期:1988.6.6
The photolyticdecomposition of adspecies formed by the adsorption of tellurium and cadmium alkyls at 295 K under ultrahigh‐vacuum conditions has been studied using x‐ray photoelectron spectroscopy. Dimethyl tellurium adsorbed at submonolayer coverages on a polycrystalline gold substrate has been observed to undergo nearly quantitative photolyticdecomposition at 193 nm to form metallic tellurium.
已经使用 X 射线光电子能谱研究了在超高真空条件下在 295 K 下吸附碲和烷基镉形成的物质的光解分解。已观察到吸附在多晶金基材上的亚单层覆盖的二甲基碲在 193 nm 处经历几乎定量的光解分解,形成金属碲。分解中产生的碳氢化合物光碎片导致金表面上的碳污染可忽略不计。吸附在无定形 SiO2 上的二甲基镉既解吸又分解形成金属副产物。在这种情况下,大部分碳仍为碳氢化合物和碳化物污染物。在 Si(100) 和 GaAs(100) 表面上形成的两种金属的单甲基化合物在低通量 (0. 25 mJ cm−2) 用于这些实验;然而,观察到大量解吸。