Tris(triphenylsilyl)phosphan | 82764-05-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: Tris(triphenylsilyl)phosphan
• 英文别名: Tris(triphenylsilyl)phosphine；tris(triphenylsilyl)phosphane
• CAS: 82764-05-4
• 化学式: C₅₄H₄₅PSi₃
• 分子量: 809.182
• InChiKey: LRJNVYLVJPVDOB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.47
• 重原子数：
  58
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  9.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  六羰基铬 、 Tris(triphenylsilyl)phosphan 以 further solvent(s) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Stelzer, O.; Niederreuther, U., 4th Intern. Conf. Organometal. Chem., Bristol 1969, S. U 5

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  三苯基氯硅烷 以 乙二醇二甲醚 为溶剂， 反应 24.0h， 以25%的产率得到Tris(triphenylsilyl)phosphan
  参考文献：
  名称：

  三芳基甲硅烷基膦前驱体对磷化铟量子点成核和生长的研究

  摘要：

  我们已经开发了一种二膦战略，可以根据磷化铟（InP）量子点（QD）合成中每种前体的相对反应性来独立地调整成核和生长动力学。通过探索一系列在芳基对位P（Si（C 6 H 4 -X）3）3（X = H，Me， CF 3或Cl），作为与P（SiMe 3）3的对比，P 3–通常用于此类合成中的来源。InP QD生长期间等分试样的紫外-可见吸收光谱显示，在InP形成速率和最终粒径方面，带有给电子基团和吸电子基团的三芳基甲硅烷基膦之间形成了鲜明的对比。31 P { 1 H}核磁共振波谱证实，当掺入P（SiPh 3）3作为唯一的磷前体时，前驱体转化率在整个纳米晶体合成过程中仍然是限速的；然而，这不足以有效分离该系统中的成核和生长，因为所导致的成核速率很慢。在所有情况下，使用单一化学物种作为P 3–的合成发现该源与In（O 2 C（CH 2）12 CH 3）3的反应性较差，因为前驱体转化率[P（SiPh 3）3和P

  DOI：

  10.1021/cm500102q

文献信息

• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Cr: Org.Verb., 1.1.2.1.4.2, page 54 - 62
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Modellrechnungen zu den Schwingungsspektren von Tris(trimethylsilyl)phosphan und Tris(triphenylsilyl)phosphan
  作者：K. Hassler

  DOI：10.1007/bf01120966

  日期：1984.6
• Darstellung und Charakterisierung der Trisilylphosphane (Ph 3Si) n P(SiMe 3)3?n ,n=1,2,3
  作者：Karl Hassler

  DOI：10.1007/bf00799918

  日期：1982.4
• Stelzer, O.; Niederreuther, U., 4th Intern. Conf. Organometal. Chem., Bristol 1969, S. U 5
  作者：Stelzer, O.、Niederreuther, U.

  DOI：——

  日期：——
• Investigation of Indium Phosphide Quantum Dot Nucleation and Growth Utilizing Triarylsilylphosphine Precursors
  作者：Dylan C. Gary、Benjamin A. Glassy、Brandi M. Cossairt

  DOI：10.1021/cm500102q

  日期：2014.2.25

  each precursor in the synthesis of indium phosphide (InP) quantum dots (QDs). This approach was allowed by the exploration of the synthesis and reactivity of a series of sterically encumbered triarylsilylphosphines substituted at the para position of the aryl group, P(Si(C6H4-X)3)3 (X = H, Me, CF3, or Cl), as a contrast to P(SiMe3)3, the P3– source commonly employed in such syntheses. UV–vis absorption

  我们已经开发了一种二膦战略，可以根据磷化铟（InP）量子点（QD）合成中每种前体的相对反应性来独立地调整成核和生长动力学。通过探索一系列在芳基对位P（Si（C 6 H 4 -X）3）3（X = H，Me， CF 3或Cl），作为与P（SiMe 3）3的对比，P 3–通常用于此类合成中的来源。InP QD生长期间等分试样的紫外-可见吸收光谱显示，在InP形成速率和最终粒径方面，带有给电子基团和吸电子基团的三芳基甲硅烷基膦之间形成了鲜明的对比。31 P 1 H}核磁共振波谱证实，当掺入P（SiPh 3）3作为唯一的磷前体时，前驱体转化率在整个纳米晶体合成过程中仍然是限速的；然而，这不足以有效分离该系统中的成核和生长，因为所导致的成核速率很慢。在所有情况下，使用单一化学物种作为P 3–的合成发现该源与In（O 2 C（CH 2）12 CH 3）3的反应性较差，因为前驱体转化率[P（SiPh 3）3和P