N-(N-benzyloxycarbonyl-phenylalanyl)-allothreonine | 17460-73-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: N-(N-benzyloxycarbonyl-phenylalanyl)-allothreonine
• 英文别名: N-(N-Benzyloxycarbonyl-phenylalanyl)-allothreonin；N-Benzyloxycarbonyl-phenylalanyl=>allothreonin；3-Hydroxy-2-[[3-phenyl-2-(phenylmethoxycarbonylamino)propanoyl]amino]butanoic acid
• CAS: 17460-73-0；17460-74-1；17585-46-5；109481-34-7；114761-67-0
• 化学式: C₂₁H₂₄N₂O₆
• 分子量: 400.431
• InChiKey: LOSOBOMQDAAZOK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.2
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  125
• 氢给体数：
  4
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N-(N-benzyloxycarbonyl-phenylalanyl)-allothreonine 在 乙醇 、 钯 、 溶剂黄146 作用下， 生成 H-Phe-Thr-OH
  参考文献：
  名称：

  Microstructure and microstructural evolution in BaTiO₃ films fabricated using the precursor method

  摘要：

  利用脉冲激光在室温下沉积 TiO2 和 BaF2 层，然后在流动氧气中退火，在 LaAlO3 上形成均匀的 BaTiO3 外延薄膜。这种氧化物薄膜合成方法被称为前驱体技术，常用于制造组合库。在本文中，我们利用横截面透射电子显微镜、高分辨率成像和电子能量损失光谱研究了退火不同阶段薄膜的微观结构。结果表明，在 LaAlO3 基底上可以形成具有大晶粒的外延 BaTiO3 薄膜。其形成过程包括以下几个阶段：在 200 ℃ 时，BaF2 层被部分氧化。400 °C时，无定形的TiO2层结晶，BaF2进一步转化为BaO，并开始相互扩散。700 ℃ 时，不同的 Ba-Ti 氧化物形成多晶结构，薄膜/基底界面上出现外延 BaTiO3 晶粒，并出现明显的相互扩散。最后，在 900 ℃ 时，相互扩散完成，外延 BaTiO3 晶粒凝聚并生长。完全退火薄膜中出现非外延多晶区的原因如下：(i) 尚未被 BaTiO3 的再结晶消耗掉的瞬时化学计量区域；(ii) 由于 BaF2 的不均匀沉积而产生的非化学计量区域。

  DOI：

  10.1557/jmr.2002.0364
• 作为产物：
  描述：

  Cbz-DL-苯丙氨酸 、 三乙胺 、 异戊酰氯 在 1,4-二氧六环 作用下， 生成 N-(N-benzyloxycarbonyl-phenylalanyl)-allothreonine
  参考文献：
  名称：

  Microstructure and microstructural evolution in BaTiO₃ films fabricated using the precursor method

  摘要：

  利用脉冲激光在室温下沉积 TiO2 和 BaF2 层，然后在流动氧气中退火，在 LaAlO3 上形成均匀的 BaTiO3 外延薄膜。这种氧化物薄膜合成方法被称为前驱体技术，常用于制造组合库。在本文中，我们利用横截面透射电子显微镜、高分辨率成像和电子能量损失光谱研究了退火不同阶段薄膜的微观结构。结果表明，在 LaAlO3 基底上可以形成具有大晶粒的外延 BaTiO3 薄膜。其形成过程包括以下几个阶段：在 200 ℃ 时，BaF2 层被部分氧化。400 °C时，无定形的TiO2层结晶，BaF2进一步转化为BaO，并开始相互扩散。700 ℃ 时，不同的 Ba-Ti 氧化物形成多晶结构，薄膜/基底界面上出现外延 BaTiO3 晶粒，并出现明显的相互扩散。最后，在 900 ℃ 时，相互扩散完成，外延 BaTiO3 晶粒凝聚并生长。完全退火薄膜中出现非外延多晶区的原因如下：(i) 尚未被 BaTiO3 的再结晶消耗掉的瞬时化学计量区域；(ii) 由于 BaF2 的不均匀沉积而产生的非化学计量区域。

  DOI：

  10.1557/jmr.2002.0364

文献信息

• Microstructure and microstructural evolution in BaTiO₃ films fabricated using the precursor method
  作者：L. A. Bendersky、C. J. Lu、J. H. Scott、K. Chang、I. Takeuchi

  DOI：10.1557/jmr.2002.0364

  日期：2002.10

  Pulsed laser deposition of TiO₂ and BaF₂ layers at room temperature and subsequent annealing in flowing oxygen were used to form homogeneous epitaxial BaTiO₃ films on LaAlO₃. This oxide film synthesis method, known as the precursor technique, is frequently used for making combinatorial libraries. In this paper, we investigated the microstructures of the films at different stages of annealing using cross-sectional transmission electron microscopy, high-resolution imaging, and electron energy loss spectroscopy. It was shown that epitaxial BaTiO₃ thin films with large grains could be formed on a LaAlO₃ substrate. Their formation process consists of the following stages: At 200 °C, the BaF₂ layer is partially oxidized. At 400 °C, the amorphous TiO₂ layer crystallizes, further transformation of BaF₂ into BaO takes place, and interdiffusion begins. At 700 °C, the formation of a polycrystalline structure with different Ba–Ti oxides occurs, epitaxial BaTiO₃ grains nucleate on the film/substrate interface, and significant interdiffusion takes place. Finally, at 900 °C, the interdiffusion is completed, and the epitaxial BaTiO₃ grains coalesce and grow. The presence of nonepitaxial polycrystalline regions in fully annealed films can be explained as the following: (i) stoichiometric transient regions not yet consumed by recrystallization of BaTiO₃; (ii) nonstoichiometric regions resulting from inhomogeneous deposition of BaF₂.

  利用脉冲激光在室温下沉积 TiO2 和 BaF2 层，然后在流动氧气中退火，在 LaAlO3 上形成均匀的 BaTiO3 外延薄膜。这种氧化物薄膜合成方法被称为前驱体技术，常用于制造组合库。在本文中，我们利用横截面透射电子显微镜、高分辨率成像和电子能量损失光谱研究了退火不同阶段薄膜的微观结构。结果表明，在 LaAlO3 基底上可以形成具有大晶粒的外延 BaTiO3 薄膜。其形成过程包括以下几个阶段：在 200 ℃ 时，BaF2 层被部分氧化。400 °C时，无定形的TiO2层结晶，BaF2进一步转化为BaO，并开始相互扩散。700 ℃ 时，不同的 Ba-Ti 氧化物形成多晶结构，薄膜/基底界面上出现外延 BaTiO3 晶粒，并出现明显的相互扩散。最后，在 900 ℃ 时，相互扩散完成，外延 BaTiO3 晶粒凝聚并生长。完全退火薄膜中出现非外延多晶区的原因如下：(i) 尚未被 BaTiO3 的再结晶消耗掉的瞬时化学计量区域；(ii) 由于 BaF2 的不均匀沉积而产生的非化学计量区域。