bis(trimethylsilyl)methyl 5-Norbornene-2-carboxylate | 366794-66-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: bis(trimethylsilyl)methyl 5-Norbornene-2-carboxylate
• 英文别名: Bis(trimethylsilyl)methyl bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylate
• CAS: 366794-66-3
• 化学式: C₁₅H₂₈O₂Si₂
• 分子量: 296.557
• InChiKey: IOLAQNPIIQAMOS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.87
• 重原子数：
  19
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  bis(trimethylsilyl)methyl acrylate 生成 bis(trimethylsilyl)methyl 5-Norbornene-2-carboxylate
  参考文献：
  名称：

  High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists

  摘要：

  提供具有硅含基团且在193纳米时透明的可聚合单体；以及乙烯不饱和基团。从这些单体中制备的聚合物可用于形成具有化学增感、辐射敏感的亚100纳米图像的工艺中。双层抗蚀剂位于基底上，并包括（i）顶部成像层，包括辐射敏感酸发生剂和（ii）有机底层。双层抗蚀剂可用于集成电路的制造。

  公开号：

  US06653048B2

文献信息

• High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists
  申请人：International Business Machines Corp.

  公开号：US06653048B2

  公开（公告）日：2003-11-25

  Polymerizable monomers having silicon containing groups that are transparent at 193 nm; and ethylenically unsaturated group are provided. Polymers from these monomers can be used in processes for forming sub-100 nm images with a chemically amplified, radiation sensitive bilayer resist. The bilayer resist is disposed on a substrate and comprises (i) a top imaging layer comprising a radiation sensitive acid generator and (ii) an organic underlayer. The bilayer resist can be used in the manufacturing of integrated circuits.

  提供具有硅含基团且在193纳米时透明的可聚合单体；以及乙烯不饱和基团。从这些单体中制备的聚合物可用于形成具有化学增感、辐射敏感的亚100纳米图像的工艺中。双层抗蚀剂位于基底上，并包括（i）顶部成像层，包括辐射敏感酸发生剂和（ii）有机底层。双层抗蚀剂可用于集成电路的制造。