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2-甲基-2-丙烯酸 4-羟基苯基酯 | 31480-93-0

中文名称
2-甲基-2-丙烯酸 4-羟基苯基酯
中文别名
对苯二酚单甲基丙烯酸酯;2-甲基-2-丙烯酸4-羟基苯基酯
英文名称
p-hydroxyphenyl methacrylate
英文别名
4-hydroxyphenyl methacrylate;2-Propenoic acid, 2-methyl-, 4-hydroxyphenyl ester;(4-hydroxyphenyl) 2-methylprop-2-enoate
2-甲基-2-丙烯酸 4-羟基苯基酯化学式
CAS
31480-93-0
化学式
C10H10O3
mdl
MFCD00227728
分子量
178.188
InChiKey
PJMXUSNWBKGQEZ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    120 °C
  • 沸点:
    320.4±21.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.161±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.3
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.1
  • 拓扑面积:
    46.5
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    3

安全信息

  • 海关编码:
    2916140000
  • 危险性防范说明:
    P261,P264,P270,P271,P280,P301+P312,P302+P352,P304+P340,P330,P363,P501
  • 危险性描述:
    H302,H312,H332
  • 储存条件:
    存储条件:2-8°C,需保持干燥并密封。

SDS

SDS:6547b2a2e996f50f6f48ed97561e112e
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上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-甲基-2-丙烯酸 4-羟基苯基酯二氯甲烷乙腈 为溶剂, 反应 6.0h, 生成
    参考文献:
    名称:
    塩、酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    摘要:
    【课题】提高注册图案的线边粗糙度(LER)。 【解决方法】提供了以下内容:包含盐的化合物,产生酸的剂,含有盐来源的结构单元的树脂,以及包含树脂和酸发生剂的注册组合物和使用该注册组合物制造注册图案的方法。 【选择图】无。
    公开号:
    JP2018043976A
  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    重合性ケイ皮酸エステル誘導体の製造方法
    摘要:
    提供一种制造添加到液晶组分中并制造TFT液晶显示元件的方法,以减少显示元件的烧结,该方法涉及制造一种聚合性硅皮酸酯衍生物。此外,还提供了制造含有该聚合性硅皮酸酯衍生物的聚合性组合物的方法,以及通过聚合该聚合性组合物获得液晶显示元件的制造方法。解决方案包括制备以下通式(I)所示的化合物和以下通式(II)所示的化合物反应的步骤,从而制备以下通式(III)所示的化合物。【选择图】无
    公开号:
    JP2020093995A
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文献信息

  • ACID GENERATORS AND PHOTORESISTS COMPRISING SAME
    申请人:Rohm and Haas Electronic Materials, LLC
    公开号:US20160002199A1
    公开(公告)日:2016-01-07
    Acid generator compounds are provided that are particularly useful as photoresist composition components. Preferred acid generators include cyclic sulfonium compounds that comprise a covalently linked acid-labile group.
    提供了一些作为光刻胶组分特别有用的酸发生剂化合物。首选的酸发生剂包括含有共价连接的酸敏感基团的环状硫铵化合物。
  • SALT, ACID GENERATOR, PHOTORESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST PATTERN
    申请人:SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
    公开号:US20160200702A1
    公开(公告)日:2016-07-14
    A salt represented by the formula (I): wherein R 1 represents a C1 to C12 alkyl group in which a methylene group can be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group; Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C1 to C6 perfluoroalkyl group; A 1 represents a lactone ring-containing group which has 4 to 24 carbon atoms; R 2 represents an acid-labile group; and “m” represents an integer of 0 to 3.
    由公式(I)表示的盐: 其中 R1 代表一个C1至C12的烷基,其中一个亚甲基基团可以被一个氧原子或一个羰基团所取代; Q1 和 Q2 各自独立地代表一个氟原子或一个C1至C6的全氟烷基团; A1 代表一个含有内酯环的基团,该基团有4到24个碳原子; R2 代表一个酸不稳定的基团;并且 “m”代表一个0到3之间的整数。
  • MONOMER, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    公开号:US20140045123A1
    公开(公告)日:2014-02-13
    A polymer comprising recurring units derived from a (meth)acrylate monomer of tertiary ester type having branched alkyl on alicycle is used to form a resist composition. When subjected to exposure, PEB and organic solvent development, the resist composition is improved in dissolution contrast.
    一种聚合物,包括由具有支链烷基的萜酸酯单体衍生的重复单元,用于形成抗蚀组合物。在经过曝光、PEB和有机溶剂显影处理后,抗蚀组合物在溶解对比度方面得到改善。
  • POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Ohashi Masaki
    公开号:US20100055608A1
    公开(公告)日:2010-03-04
    A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 1 -C 10 organic group, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.
    提供具有式(1)的可聚合含阴离子的亚砜盐,其中R1为H、F、甲基或三氟甲基,R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳氧代烷基,或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环,A为C1-C10有机基团,n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
  • RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND BARIUM, CESIUM AND CERIUM SALTS
    申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    公开号:US20170115566A1
    公开(公告)日:2017-04-27
    A resist composition comprising a base resin comprising acid labile group-containing recurring units and preferably acid generator-containing recurring units, and a sodium, magnesium, potassium, calcium, rubidium, strontium, yttrium, cesium, barium or cerium salt of α-fluorinated sulfonic acid bonded to an alkyl, alkenyl, alkynyl or aryl group exhibits a high resolution and sensitivity and forms a pattern of satisfactory profile with minimal LWR after exposure and development.
    一种抗蚀组合物包括基树脂,其中包含含酸敏感基团的重复单元,最好包含含酸发生剂的重复单元,以及与烷基、烯基、炔基或芳基结合的α-氟磺酸的钠、镁、钾、钙、铷、锶、钇、铯、钡或铈盐,表现出高分辨率和灵敏度,并在曝光和显影后形成具有最小LWR的满意轮廓图案。
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