2-硝基苄基4-甲基苯磺酸酯 | 20444-09-1

• 物质功能分类: 化学试剂 - 有机试剂 - 甲苯磺酸酯
• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 2-硝基苄基4-甲基苯磺酸酯
• 英文名称: 2-nitrobenzyl p-toluenesulfonate
• 英文别名: o-nitrobenzyl p-toluenesulfonate；2-nitrobenzyl tosylaie；2-nitrobenzyl tosylate；o-Nitrobenzyltosylat；(2-nitrophenyl)methyl 4-methylbenzenesulfonate
• CAS: 20444-09-1
• 化学式: C₁₄H₁₃NO₅S
• mdl: MFCD00736822
• 分子量: 307.327
• InChiKey: MCVVDMSWCQUKEV-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  476.0±33.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.357±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.9
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  97.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

安全信息

• 海关编码：
  2906299090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-硝基苄基4-甲基苯磺酸酯 在 谷胱甘肽 作用下， 以 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 6.0h， 生成 2-氨基苯甲醛
  参考文献：
  名称：

  的形成ø从水解-nitrosobenzaldehyde ö硝基苄基甲苯磺酸酯。分子内亲核相互作用的证据

  摘要：

  的水解Ó硝基苄甲苯磺酸酯在CH 3 CN：H 2 O（1：1，V / V），得到ø -硝基苄醇和ö -nitrosobenzaldehyde在1.8：1倍的比例。邻-亚硝基苯甲醛的形成表明硝基参与了甲苯磺酸酯基的离去。通过生物硫醇还原邻硝基苯甲醛，得到邻氨基苯甲醛。邻-亚硝基苯甲醛与1摩尔苄胺反应，得到3-（N-苄氨基）蒽基（或其互变异构体），为主要产物。

  DOI：

  10.1016/s0040-4039(98)01068-5
• 作为产物：
  描述：

  邻硝基苯甲醇 、 对甲苯磺酰氯 在 三乙胺 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 2.0h， 以79%的产率得到2-硝基苄基4-甲基苯磺酸酯
  参考文献：
  名称：

  Cell-permeable small molecule probes for site-specific labeling of proteinsElectronic supplementary information (ESI) available: experimental details and characterization of compounds. See http://www.rsc.org/suppdata/cc/b3/b309196a/

  摘要：

  我们已经成功合成了一些用于在活细胞中表达的含N端半胱氨酸蛋白质进行位点特异性标记的小分子探针。它们在纯化蛋白质的体外实验中，以及在活细菌细胞的体内实验中，都成功展示了其进行蛋白质位点特异性共价修饰的效用。

  DOI：

  10.1039/b309196a
• 作为试剂：
  描述：

  邻硝基苯甲醇 、 对甲苯磺酰氯 在 水 、 盐酸 、 sodium hydroxide 、 Brine 、 SO4 、 silica gel 、 dichloromethane ethanol 、 2-硝基苄基4-甲基苯磺酸酯 作用下， 以 二氯甲烷 、 三乙胺 为溶剂， 反应 2.0h， 以to give 2-nitrobenzyl tosylate, 22 (1.57 g, 79%)的产率得到2-硝基苄基4-甲基苯磺酸酯
  参考文献：
  名称：

  Site-specific labelling of proteins

  摘要：

  公开了一种用于标记具有N-末端半胱氨酸的蛋白质的体内方法。将包含硫酸酯基团和可检测标记的探针引入表达N-末端半胱氨酸蛋白质的细胞中，使N-末端半胱氨酸剪切硫酸酯键，并通过酰胺键共价连接将标记附加到蛋白质的N-末端。

  公开号：

  US07449558B2

文献信息

• MONOMERS, POLYMERS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20180059545A1

  公开（公告）日：2018-03-01

  In one preferred embodiment, polymers are provided that comprise a structure of the following Formula (I): Photoresists that comprises such polymers also are provided.

  在一个首选实施例中，提供了包含以下化学式（I）结构的聚合物： 还提供了包含这种聚合物的光刻胶。
• Solvent-free and selective tosylation of alcohols and phenols with <i>p</i>-toluenesulfonyl chloride by heteropolyacids as highly efficient catalysts
  作者：Razieh Fazaeli、Shahram Tangestaninejad、Hamid Aliyan

  DOI：10.1139/v06-066

  日期：2006.5.1

  Tosylation of some alcohols and phenols has been directly carried out with p-toluenesulfonyl chloride using heterodoxy acids (H3PW12O40, H3PMo12O40, AlPW12O40, and AlPMo12O40) as catalysts in the absence of solvent. We found that heteropoly acids AlPW12O40 and AlPMo12O40 were effective catalysts for the tosylation of alcohols and phenols. In the case of aliphatic alcohols, secondary alcohols undergo

  在没有溶剂的情况下，使用杂多氧基酸（H3PW12O40、H3PMo12O40、AlPW12O40 和 AlPMo12O40）作为催化剂，直接用对甲苯磺酰氯对某些醇和酚进行甲苯磺酰化。我们发现杂多酸 AlPW12O40 和 AlPMo12O40 是醇和酚甲苯磺酰化的有效催化剂。在脂肪醇的情况下，仲醇在伯羟基的存在下化学选择性地进行甲苯磺酰化。这种新方法始终具有收率高、反应时间短的优点。关键词：甲苯磺酰化，p-TsCl，Keggin型多金属氧酸盐，无溶剂反应。
• COATING COMPOSITIONS SUITABLE FOR USE WITH AN OVERCOATED PHOTORESIST
  申请人：Amara John P.

  公开号：US20110003250A1

  公开（公告）日：2011-01-06

  In one aspect, organic coating compositions, particularly antireflective coating compositions, are provided that comprise that comprise a diene/dienophile reaction product. In another aspect, organic coating compositions, particularly antireflective coating compositions, are provided that comprise a component comprising a hydroxyl-naphthoic group, such as a 6-hydroxy-2-naphthoic group Preferred compositions of the invention are useful to reduce reflection of exposing radiation from a substrate back into an overcoated photoresist layer and/or function as a planarizing, conformal or via-fill layer.

  在一个方面，提供了有机涂层组合物，特别是抗反射涂层组合物，其包括二烯/二烯亲双反应产物。在另一个方面，提供了有机涂层组合物，特别是抗反射涂层组合物，其包括一个含有羟基-萘甲基团的组分，例如6-羟基-2-萘甲基团。本发明的优选组合物可用于减少曝光辐射从基板反射回覆盖的光刻胶层，并/或作为平坦化、整平或填孔层。
• Pretreatment compositions
  申请人：Powell B. David

  公开号：US20060286484A1

  公开（公告）日：2006-12-21

  A pretreatment composition of: (a) at least one compound having structure VI V 1 —Y—V 2 VI wherein Y is selected from the group consisting of S, O, NR 2 , (HOCH) p , and each R 1 is independently selected from H, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or a halogen, each R 2 is independently H, SH, CH 3 , C 2 H 5 , and a linear or branched C 1 -C 4 alkyl group containing a thiol group; and wherein V 1 and V 2 are independently selected from wherein, m is independently an integer from 0 to 4 with the proviso that m can =0 only when Y═ n is an integer from 1 to 5; p is an integer of from 1 to 4, and each R 1 is defined as above; (b) at least one organic solvent, and optionally, (c) at least one adhesion promoter; wherein the amount of the compound of Structure VI present in the composition is effective to inhibit residue from forming when the photosensitive composition is coated on a substrate and the coated substrate is processed to form an image thereon.

  预处理组合物包括：(a)至少一种具有结构VIV1—Y—V2VI的化合物，其中Y选自S、O、NR2、(HOCH)p和each R1，每个R1独立选自H、烷基、烯基、炔基、烷氧基或卤素，每个R2独立为H、SH、CH3、C2H5和含巯基的直链或支链C1-C4烷基；其中V1和V2独立选自，其中m独立为0到4的整数，条件是m只能为0当Y=n为1到5的整数；p为1到4的整数，每个R1如上定义；(b)至少一种有机溶剂，以及可选地(c)至少一种促进粘附的物质；其中，组合物中存在的结构VI化合物的量足以抑制光敏组合物涂布在基材上并在涂覆的基材上形成图像时形成残留物。
• Novolac resin-containing resist underlayer film-forming composition using bisphenol aldehyde
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US10017664B2

  公开（公告）日：2018-07-10

  Resist underlayer film-forming composition for forming resist underlayer film with high dry etching resistance, wiggling resistance and exerts good flattening property and embedding property for uneven parts, including resin obtained by reacting organic compound A including aromatic ring and aldehyde B having at least two aromatic hydrocarbon ring groups having phenolic hydroxy group and having structure wherein the aromatic hydrocarbon ring groups are bonded through tertiary carbon atom. The aldehyde B may be compound of Formula (1): The obtained resin may have a unit structure of Formula (2): Ar1 and Ar2 each are C6-40 aryl group. The organic compound A including aromatic ring may be aromatic amine or phenolic hydroxy group-containing compound. The composition may contain further solvent, acid and/or acid generator, or crosslinking agent. Forming resist pattern used for semiconductor production, including forming resist underlayer film by applying the resist underlayer film-forming composition onto semiconductor substrate and baking it.

  用于形成具有高干法蚀刻抗性、抗扭曲性并具有良好的平整性和嵌入性能的抗蚀底层膜形成组合物，包括通过使含有芳香环的有机化合物A和至少具有两个含酚羟基的芳香烃环团的醛B反应而获得的树脂，并具有芳香烃环团通过三级碳原子键合的结构。醛B可以是化合物的化学式（1）： 所得的树脂可能具有化学式（2）的单元结构： Ar1和Ar2各自是C6-40芳基团。含有芳香环的有机化合物A可能是芳香胺或含酚羟基的化合物。该组合物可能进一步含有溶剂、酸和/或酸发生剂，或交联剂。用于半导体生产的形成抗蚀图案，包括通过将抗蚀底层膜形成组合物涂覆在半导体衬底上并对其进行烘烤来形成抗蚀底层膜。