dimethylundecylsilane | 66582-88-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物衍生物
• 英文名称: dimethylundecylsilane
• 英文别名: Dimethyl-undecyl-silan；Dimethyl(undecyl)silane；dimethyl(undecyl)silane
• CAS: 66582-88-5
• 化学式: C₁₃H₃₀Si
• 分子量: 214.467
• InChiKey: ZJYPTTCLUKDPPG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.0
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dimethylundecylsilane 在 四(三苯基膦)钯 、 正丁基锂 、 Karstedt's catalyst 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 生成 5-(6-(dimethylundecylsilyl)hex-1-yl)-2,2'-bithiophene
  参考文献：
  名称：

  通过简单的疏松参数可预测封端寡聚噻吩的热和电性质

  摘要：

  连接到几个低聚噻吩系列上的端基的分支拓扑结构对低聚物的热和电学性质产生系统性影响。该系列以模块化方式合成，并且随着取代基体积的增加，熔点T m明显下降。对于溶液中聚集体的解离温度T dis可以发现相同的趋势。类似地，单层OFET迁移率μ FET是显著随取代基的膨松度降低。提出了一个简单的几何模型，该模型基于体积参数P定量地将转变温度和迁移率与取代基的结构相关联，从而可以预测Ť米，Ť DIS和μ FET对应尚未合成寡聚体与支化的取代基。该模型通常可用于封端的棒状共轭低聚物。

  DOI：

  10.1021/cm400702t
• 作为产物：
  描述：

  1-溴十一烷 、 二甲基一氯硅烷 在 magnesium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 dimethylundecylsilane
  参考文献：
  名称：

  通过裁定取代基精细调整Septithiophenes的固态性质

  摘要：

  提出了一系列五个α，ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反，由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管（OFET）的所有迁移率都在相同的范围内（0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1）。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实：如依赖温度的X射线衍射所揭示的，在室温下，固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外，五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此，调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性，并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。

  DOI：

  10.1021/cm903444n

文献信息

• Silyl modification of biologically active compounds. 13. Synthesis, cytotoxicity and antibacterial action of<i>N</i>-methyl-<i>N</i>-(2-triorganylsiloxyethyl)-1,2,3,4-tetrahydro(iso)quinolinium iodides
  作者：Alla Zablotskaya、Izolda Segal、Yuris Popelis、Solveiga Grinberga、Irina Shestakova、Vizma Nikolajeva、Daina Eze

  DOI：10.1002/aoc.2952

  日期：2013.2

  A series of N‐methyl‐N‐(2‐triorganylsiloxyethyl)‐1,2,3,4‐tetrahydro(iso)quinolinium iodides has been synthesized via dehydrocondensation reaction of N‐(2‐hydroxyethyl)‐1,2,3,4‐tetrahydroisoquinoline, N‐(2‐hydroxyethyl)‐1,2,3,4‐tetrahydroquinoline and 4,4‐dimethyl‐N‐(2‐hydroxyethyl)‐4‐sila‐1,2,3,4‐tetrahydroisoquinoline with trialkyl(aryl)hydrosilanes and subsequent alkylation, and characterized by

  通过N-（2-羟乙基）-1,2,3的脱氢反应合成了一系列N-甲基-N-（2-三有机基甲硅烷氧基乙基）-1,2,3,4-四氢（异）喹啉碘化物。 4-四氢异喹啉，N-（2-羟乙基）-1,2,3,4-四氢喹啉和4,4-二甲基-N-（2-羟乙基）-4-sila-1,2,3,4-四氢异喹啉三烷基（芳基）氢硅烷和随后的烷基化反应，其特征在于1 H，13 C和29Si NMR和质谱。与2-羟乙基前体相比，生物学活性数据显示出对肿瘤细胞系和几乎所有测试细菌/真菌菌株的抑制活性显着增强。大多数化合物对HT‐1080（人纤维肉瘤）和MG‐22A（小鼠肝癌）癌细胞系的细胞毒性都在微克范围内。版权所有©2012 John Wiley＆Sons，Ltd.
• Fine Tuning of Solid-State Properties of Septithiophenes by Tailoring the Substituents
  作者：Andreas Kreyes、Stefan Ellinger、Katharina Landfester、Matthieu Defaux、Dimitri A. Ivanov、Andreas Elschner、Timo Meyer-Friedrichsen、Ulrich Ziener

  DOI：10.1021/cm903444n

  日期：2010.3.23

  A series of five α,ω-substituted septithiophenes, which differ in the geometry of the peripheral branched alkyl substitutents, is presented. The position of the branching point has a substantial effect on the solubility and melting points of the oligomers. In contrast, organic field-effect transistors (OFETs) that have been prepared from those materials via vapor deposition show all mobilities in the

  提出了一系列五个α，ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反，由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管（OFET）的所有迁移率都在相同的范围内（0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1）。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实：如依赖温度的X射线衍射所揭示的，在室温下，固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外，五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此，调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性，并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。
• Predictability of Thermal and Electrical Properties of End-Capped Oligothiophenes by a Simple Bulkiness Parameter
  作者：Andreas Kreyes、Ahmed Mourran、Zhihua Hong、Jingbo Wang、Martin Möller、Fatemeh Gholamrezaie、W. S. Christian Roelofs、Dago M. de Leeuw、Ulrich Ziener

  DOI：10.1021/cm400702t

  日期：2013.5.28

  The branching topology of end groups attached to several series of oligothiophenes has a systematic effect on thermal and electrical properties of the oligomers. The series were synthesized in a modular approach and show a distinct drop of the melting point Tm on increasing bulkiness of the substituents. The same trend can be found for the dissociation temperatures Tdis of aggregates in solution. Similarly

  连接到几个低聚噻吩系列上的端基的分支拓扑结构对低聚物的热和电学性质产生系统性影响。该系列以模块化方式合成，并且随着取代基体积的增加，熔点T m明显下降。对于溶液中聚集体的解离温度T dis可以发现相同的趋势。类似地，单层OFET迁移率μ FET是显著随取代基的膨松度降低。提出了一个简单的几何模型，该模型基于体积参数P定量地将转变温度和迁移率与取代基的结构相关联，从而可以预测Ť米，Ť DIS和μ FET对应尚未合成寡聚体与支化的取代基。该模型通常可用于封端的棒状共轭低聚物。