在本文中,我们报告了利用脉冲激光沉积技术在硅基底上生长氧化锌薄膜的情况。这些薄膜直接沉积在硅(111)上,也使用了氮化铝和氮化镓薄缓冲层。所有薄膜都具有与基底法线对齐的 c 轴优先取向。使用氮化铝和氮化镓缓冲层的薄膜具有优先面内取向的外延,而直接生长在硅(111)上的薄膜则具有随机面内取向。由于薄膜中存在拉伸应变,拉曼模式的频率降低,带边光致发光峰发生红移。讨论了观察到的双轴应变的各种可能来源。
在本文中,我们报告了利用脉冲激光沉积技术在硅基底上生长氧化锌薄膜的情况。这些薄膜直接沉积在硅(111)上,也使用了氮化铝和氮化镓薄缓冲层。所有薄膜都具有与基底法线对齐的 c 轴优先取向。使用氮化铝和氮化镓缓冲层的薄膜具有优先面内取向的外延,而直接生长在硅(111)上的薄膜则具有随机面内取向。由于薄膜中存在拉伸应变,拉曼模式的频率降低,带边光致发光峰发生红移。讨论了观察到的双轴应变的各种可能来源。