(2-Methyl-2-adamantyl) 2-methylpropanoate | 1391911-73-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: (2-Methyl-2-adamantyl) 2-methylpropanoate
• CAS: 1391911-73-1
• 化学式: C₁₅H₂₄O₂
• 分子量: 236.354
• InChiKey: YMCXARGPMSKHGH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.7
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.93
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (2-Methyl-2-adamantyl) 2-methylpropanoate 、 对甲苯磺酰胺 在 二甲基乙基硅烷 、 (Ace)Ru₃(CO)7 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 20.0h， 以40%的产率得到4-methyl-N-(2-methyladamantan-2-yl)benzenesulfonamide
  参考文献：
  名称：

  使用酯作为伯烷基和叔烷基源的甲苯磺酰胺的N烷基化反应：由钌催化剂活化的氢硅烷介导

  摘要：

  选择您的基团：在使用氢硅烷的钌催化反应中，可以明智地选择用作烷基源的酯，将伯烷基或叔烷基选择性引入甲苯磺酰胺的氮原子上（参见方案; Ts = 4-甲苯磺酰基）。这些N烷基化反应可用于构建天然存在的氮杂环骨架。

  DOI：

  10.1002/anie.201201426

文献信息

• SALT, ACID GENERATOR, PHOTORESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST PATTERN
  申请人：SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

  公开号：US20160200702A1

  公开（公告）日：2016-07-14

  A salt represented by the formula (I): wherein R 1 represents a C1 to C12 alkyl group in which a methylene group can be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group; Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C1 to C6 perfluoroalkyl group; A 1 represents a lactone ring-containing group which has 4 to 24 carbon atoms; R 2 represents an acid-labile group; and “m” represents an integer of 0 to 3.

  由公式(I)表示的盐： 其中 R1 代表一个C1至C12的烷基，其中一个亚甲基基团可以被一个氧原子或一个羰基团所取代； Q1 和 Q2 各自独立地代表一个氟原子或一个C1至C6的全氟烷基团； A1 代表一个含有内酯环的基团，该基团有4到24个碳原子； R2 代表一个酸不稳定的基团；并且 “m”代表一个0到3之间的整数。
• RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND BARIUM, CESIUM AND CERIUM SALTS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20170115566A1

  公开（公告）日：2017-04-27

  A resist composition comprising a base resin comprising acid labile group-containing recurring units and preferably acid generator-containing recurring units, and a sodium, magnesium, potassium, calcium, rubidium, strontium, yttrium, cesium, barium or cerium salt of α-fluorinated sulfonic acid bonded to an alkyl, alkenyl, alkynyl or aryl group exhibits a high resolution and sensitivity and forms a pattern of satisfactory profile with minimal LWR after exposure and development.

  一种抗蚀组合物包括基树脂，其中包含含酸敏感基团的重复单元，最好包含含酸发生剂的重复单元，以及与烷基、烯基、炔基或芳基结合的α-氟磺酸的钠、镁、钾、钙、铷、锶、钇、铯、钡或铈盐，表现出高分辨率和灵敏度，并在曝光和显影后形成具有最小LWR的满意轮廓图案。
• RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSTION, PATTERNING PROCESS, AND COMPOUND
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20170018436A1

  公开（公告）日：2017-01-19

  The present invention provides a resist underlayer film composition for lithography, containing a compound having an indenofluorene structure. This resist underlayer film composition is excellent in filling property, generates little outgas, and has high heat resistance.

  本发明提供了一种用于光刻的抗蚀底层膜组合物，包含具有茚并芴结构的化合物。这种抗蚀底层膜组合物具有优异的填充性能，产生少量气体释放，并具有高耐热性。
• MONOMER, POLYMER, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Hatakeyama Jun

  公开号：US20110294070A1

  公开（公告）日：2011-12-01

  A polymer is obtained from a hydroxyphenyl methacrylate monomer having an acid labile group substituted thereon. A positive resist composition comprising the polymer as a base resin has a very high contrast of alkaline dissolution rate before and after exposure, a high resolution, a good profile and minimal line edge roughness of a pattern after exposure, a retarded acid diffusion rate, and good etching resistance.

  一种聚合物是由一种具有酸敏感基团的羟基苯甲酸甲酯单体合成得到的。该聚合物作为基础树脂的正性光阻组合物具有极高的曝光前后碱溶解速率对比度、高分辨率、曝光后图案的良好轮廓和极小的线边粗糙度、缓慢的酸扩散速率和良好的蚀刻抗性。
• COMPOUND, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, AND PATTERN FORMATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US20160024005A1

  公开（公告）日：2016-01-28

  There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a compound represented by the following formula (1) or (2), and the formula (1) and (2) are defined as herein, and a resist film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a pattern forming method comprising a step of exposing the resist film, and a step of developing the exposed film, and a method for manufacturing an electronic device, comprising the pattern forming method, and an electronic device manufactured by the manufacturing method of an electronic device.

  提供了一种包含下列式子（1）或（2）所代表的化合物的光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物，其中式（1）和（2）的定义如本文所述，以及包括该光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物的光阻膜，以及包括曝光光阻膜的步骤和显影曝光膜的步骤的图案形成方法，以及包括图案形成方法的制造电子装置的方法，以及由电子装置的制造方法制造的电子装置。