4-[3-(S-acetylthio)propyl]benzaldehyde | 307538-01-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4-[3-(S-acetylthio)propyl]benzaldehyde
• 英文别名: S-[3-(4-formylphenyl)propyl] ethanethioate
• CAS: 307538-01-8
• 化学式: C₁₂H₁₄O₂S
• 分子量: 222.308
• InChiKey: BHBXHBYKPIRAEG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.4
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  59.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  吡咯 、 2,4,6-三甲基苯甲醛 、 4-[3-(S-acetylthio)propyl]benzaldehyde 在 乙醇 、 三氟化硼乙醚 、 2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌 作用下， 以 氯仿 、 四氢呋喃 为溶剂， 反应 4.5h， 以10%的产率得到5-[4-[3-(S-acetylthio)propyl]phenyl]-10,15,20-trimesitylporphyrin
  参考文献：
  名称：

  具有不同接头的“卟啉-接头-硫醇”分子的合成，用于研究基于分子的信息存储

  摘要：

  氧化还原活性分子（如卟啉）与电活性表面的连接为基于电可寻址分子的信息存储提供了一种有吸引力的方法。卟啉通过硫醇连接基很容易附着在金表面。电活性表面和卟啉之间的电子转移速率是决定适用于基于分子的存储器存储的关键因素之一。该速率取决于将硫醇单元连接至卟啉的接头的类型和长度。我们已经开发了具有八种不同连接子的硫醇衍生卟啉的制备方法。两组接头探讨了接头长度和缀合的影响，一组接头包含苯乙炔单元，而另一组接头包含烷基单元。一个缺电子的连接子具有四个直接与硫代苯基单元相连的氟原子。为了促进卟啉的合成，已经开发了便利的途径来制备具有受保护的S-乙酰硫基的多种醛。还开发了1-（S-乙酰硫基）-4-碘代苯的有效合成。合成了一组卟啉，每个卟啉在一个内消旋位置带有一个S-乙酰基衍生化的连接基，并在其余三个内消旋位置上带有均三甲苯基。总共制备了七个新的醛，八个游离碱卟啉和八个锌卟啉。带有不同接头的锌卟啉均通过原位裂

  DOI：

  10.1021/jo000487u
• 作为产物：
  描述：

  1,3-二噁烷,2-(4-溴苯基)-5,5-二甲基- 在 偶氮二异丁腈 、 水 、 magnesium 、 三氟乙酸 作用下， 以 四氢呋喃 、 二氯甲烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 43.25h， 生成 4-[3-(S-acetylthio)propyl]benzaldehyde
  参考文献：
  名称：

  具有不同接头的“卟啉-接头-硫醇”分子的合成，用于研究基于分子的信息存储

  摘要：

  氧化还原活性分子（如卟啉）与电活性表面的连接为基于电可寻址分子的信息存储提供了一种有吸引力的方法。卟啉通过硫醇连接基很容易附着在金表面。电活性表面和卟啉之间的电子转移速率是决定适用于基于分子的存储器存储的关键因素之一。该速率取决于将硫醇单元连接至卟啉的接头的类型和长度。我们已经开发了具有八种不同连接子的硫醇衍生卟啉的制备方法。两组接头探讨了接头长度和缀合的影响，一组接头包含苯乙炔单元，而另一组接头包含烷基单元。一个缺电子的连接子具有四个直接与硫代苯基单元相连的氟原子。为了促进卟啉的合成，已经开发了便利的途径来制备具有受保护的S-乙酰硫基的多种醛。还开发了1-（S-乙酰硫基）-4-碘代苯的有效合成。合成了一组卟啉，每个卟啉在一个内消旋位置带有一个S-乙酰基衍生化的连接基，并在其余三个内消旋位置上带有均三甲苯基。总共制备了七个新的醛，八个游离碱卟啉和八个锌卟啉。带有不同接头的锌卟啉均通过原位裂

  DOI：

  10.1021/jo000487u

文献信息

• High density memory device
  申请人：Bocian F. David

  公开号：US20060209587A1

  公开（公告）日：2006-09-21

  This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10 15 bits/cm 3 ), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型的高密度存储器件，具有电学可寻址性，可有效地进行读写操作，提供高存储密度（例如，1015比特/立方厘米），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。这些器件本质上是可锁定的、缺陷容忍的，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该器件包括一个固定电极，与一个具有多种不同和可区分氧化态的存储介质电学耦合，通过电学耦合的电极向存储介质中添加或撤回一个或多个电子，将数据存储在所述氧化态中。
• High density non-volatile memory device
  申请人：The Regents of the University of California

  公开号：US07042755B1

  公开（公告）日：2006-05-09

  This invention provides novel high density memory devices (FIG. 3) that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (102), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices arc intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型高密度存储器件（图3），可进行电子寻址，以实现有效的读写，提供高密度存储（102），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。该设备本质上是可锁存的，具有缺陷容忍能力，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该设备包括与一个存储介质电性耦合的固定电极，该存储介质具有多种不同的可区分的氧化态，其中通过向存储介质中加入或撤回一个或多个电子来将数据存储在该氧化态中。
• HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
  申请人：The Regents of the University of California

  公开号：EP1210714A2

  公开（公告）日：2002-06-05
• EP1210714A4
  申请人：——

  公开号：EP1210714A4

  公开（公告）日：2006-01-04
• US7042755B1
  申请人：——

  公开号：US7042755B1

  公开（公告）日：2006-05-09