N,N,6-Tributyl-3,3-diphenyl-1,5-bis(sulfanylidene)-2,4-dithia-6-aza-3-stannadecan-1-amine | 66009-07-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: N,N,6-Tributyl-3,3-diphenyl-1,5-bis(sulfanylidene)-2,4-dithia-6-aza-3-stannadecan-1-amine
• 英文别名: [dibutylcarbamothioylsulfanyl(diphenyl)stannyl] N,N-dibutylcarbamodithioate
• CAS: 66009-07-2
• 化学式: C₃₀H₄₆N₂S₄Sn
• 分子量: 681.683
• InChiKey: CEUCRIZPUXXVOI-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.78
• 重原子数：
  37
• 可旋转键数：
  14
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.53
• 拓扑面积：
  72.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  二硫化碳 、 二苯基二氯化锡 、 二正丁胺 在 sodium hydroxide 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 反应 2.0h， 以56.6%的产率得到N,N,6-Tributyl-3,3-diphenyl-1,5-bis(sulfanylidene)-2,4-dithia-6-aza-3-stannadecan-1-amine
  参考文献：
  名称：

  有机锡二硫代氨基甲酸酯：通过气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）用于硫化锡薄膜的单源前体

  摘要：

  一系列的二硫代氨基甲酸盐[Sn（C 4 H 9）2（S 2 CN（RR'）2）2 ]（R，R'=乙基（1）； R =甲基，R'=丁基（2） ； R，R'=丁基（3）； R =甲基，R'=己基（4）；以及[Sn（C 6 H 5）2（S 2 CN（RR'）2）2 ]（R，R' ＝乙基（5）； R ＝甲基，R′＝丁基（6）； R，R′＝丁基（7）； R ＝甲基，R′＝己基（8））合成。的单晶X射线结构2，3，和8进行了测定。热重量分析（TGA）显示出对络合物单步分解1，3，及5 - 8，和双分解步的复合物2和4和325之间195℃℃。复杂1 – 4在400°C至530°C的温度下，它们用作通过气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）沉积SnS薄膜的单源前驱体。在所有沉积温度下，从所有四个络合物沉积正交晶SnS薄膜。膜的特征在于紫外可见光谱，粉末X射线衍射（p-XRD），拉曼光谱，扫描电子显微镜（SE

  DOI：

  10.1021/cm301660n

文献信息

• Organotin Dithiocarbamates: Single-Source Precursors for Tin Sulfide Thin Films by Aerosol-Assisted Chemical Vapor Deposition (AACVD)
  作者：Karthik Ramasamy、Vladimir L. Kuznetsov、Kandasamy Gopal、Mohammad A. Malik、James Raftery、Peter P. Edwards、Paul O’Brien

  DOI：10.1021/cm301660n

  日期：2013.2.12

  between 195 °C and 325 °C. Complexes 1–4 were used as single-source precursors for the deposition of SnS thin films by aerosol-assisted chemical vapor deposition (AACVD) at temperatures from 400 °C to 530 °C. Orthorhombic SnS thin films were deposited from all four complexes at all deposition temperatures. The films were characterized by UV–vis spectroscopy, powder X-ray diffraction (p-XRD), Raman spectroscopy

  一系列的二硫代氨基甲酸盐[Sn（C 4 H 9）2（S 2 CN（RR'）2）2 ]（R，R'=乙基（1）； R =甲基，R'=丁基（2） ； R，R'=丁基（3）； R =甲基，R'=己基（4）；以及[Sn（C 6 H 5）2（S 2 CN（RR'）2）2 ]（R，R' ＝乙基（5）； R ＝甲基，R′＝丁基（6）； R，R′＝丁基（7）； R ＝甲基，R′＝己基（8））合成。的单晶X射线结构2，3，和8进行了测定。热重量分析（TGA）显示出对络合物单步分解1，3，及5 - 8，和双分解步的复合物2和4和325之间195℃℃。复杂1 – 4在400°C至530°C的温度下，它们用作通过气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）沉积SnS薄膜的单源前驱体。在所有沉积温度下，从所有四个络合物沉积正交晶SnS薄膜。膜的特征在于紫外可见光谱，粉末X射线衍射（p-XRD），拉曼光谱，扫描电子显微镜（SE