多边形[2 + 2]-和[3 + 3]-型金属配合物是通过双角蛋白二聚体通过锐角间隔子连接而制备的。导电性在很大程度上取决于化合物的堆积排列,揭示了沿[3 + 3]型金属排列轴的相对高迁移率的孔(高达0.11 cm 2 V -1 s -1)存在有效的跳跃路径。桥接程序集。这些观察结果与环状结构中π共轭金属络合物的几何控制有关,这使得它们在装配体中有序排列。
多边形[2 + 2]-和[3 + 3]-型金属配合物是通过双角蛋白二聚体通过锐角间隔子连接而制备的。导电性在很大程度上取决于化合物的堆积排列,揭示了沿[3 + 3]型金属排列轴的相对高迁移率的孔(高达0.11 cm 2 V -1 s -1)存在有效的跳跃路径。桥接程序集。这些观察结果与环状结构中π共轭金属络合物的几何控制有关,这使得它们在装配体中有序排列。