本发明提供了一种热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用,所述半导体材料结构如通式所示X是N或
氰基取代的次甲基,D1和D2至少一个取自二芳基
氨基、芳基桥联的二芳基
氨基、9‑
咔唑基、9‑芳基‑
咔唑基、芳基或杂环芳基并
吲哚基中的一种;R11,R12R21,
R22各自独立的取自氢、
氘、烷基、芳基、杂芳基等,l、k、m和n取自独立取自0~4的整数且m+n<6,l+k<6本发明公开的化合物具有较长的光发射波长、更好的热稳定性、更高的光致发光量子效率和更小的ΔΕST以及高的反向系间跃迁率。本发明提供的一种有机热活化延迟荧光半导体能够在有机半导体器件、
生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。