(3,4'-dihexyl-2,2'-bithiophene-5,5'-diyl)bis(trimethylstannane) | 868394-45-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: (3,4'-dihexyl-2,2'-bithiophene-5,5'-diyl)bis(trimethylstannane)
• 英文别名: 2,2'-bis(trimethylstannyl)-3,4'-bis(hexyl)-5,5'-bithiophene
• CAS: 868394-45-0
• 化学式: C₂₆H₄₆S₂Sn₂
• 分子量: 660.203
• InChiKey: RDWLRMMBCJLPHL-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  570.8±60.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.81
• 重原子数：
  30.0
• 可旋转键数：
  13.0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.69
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (3,4'-dihexyl-2,2'-bithiophene-5,5'-diyl)bis(trimethylstannane) 、 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  一系列表面吸附的线性低聚噻吩衍生物的自组装纳米结构

  摘要：

  许多先前的研究表明，包括分子骨架和烷基链在内的低聚噻吩衍生物的分子结构对其在表面的自组装具有显着影响。在这项工作中，采用了一系列用末端二氰基乙烯基和烷基链修饰的线性低聚噻吩衍生物（DCV- n T-Hex，n  = 3∼11），通过扫描隧道显微镜进一步研究了液-固界面的不同组装行为（ ST）。有趣的是，通过氢键和范德瓦尔斯相互作用，DCV-3T-Hex 形成锯齿形和花状结构，而 DCV- n T-Hex ( n = 4∼11)形成层状结构。密度泛函理论 (DFT) 计算表明，对于 DCV- n T-Hex 的最有利配置，烷基链的不同分布影响分子间相互作用，并最终导致不同的组装结构。与 DCV- n T-Hex 的其他结构 ( n  = 4∼11)相比，DCV-3T-Hex 的锯齿形和花形结构具有优先的热力学稳定性。此外，偶数 ( n = 4, 6, 8, 10) 的 DCV- n T-Hex

  DOI：

  10.1016/j.cclet.2022.05.082
• 作为产物：
  描述：

  己基溴化镁 在 四(三苯基膦)钯 、 1,3-bis[(diphenylphosphino)propane]dichloronickel(II) 、 四甲基乙二胺 、 叔丁基锂 、 甲基三辛基氯化铵 、 sodium carbonate 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 26.0h， 生成 (3,4'-dihexyl-2,2'-bithiophene-5,5'-diyl)bis(trimethylstannane)
  参考文献：
  名称：

  使用包含头尾结构联苯噻吩，pyr和苯并噻二唑衍生物的半导体聚合物制造的光伏器件

  摘要：

  使用Stille偶联反应合成了由尾到尾结构的3,4'-二己基-2,2'-联噻吩（DHBT）和and单元[聚（DHBT- alt- PYR）]组成的交替共聚物在光伏设备中作为ap型供体。为了降低聚（DHBT- alt -PYR）的带隙能，4,7-双（3'-己基-2,2'-联噻吩-5-基）苯并[ c ] [1,2,5]噻二唑（BHBTBT）单元被引入到聚合物中。聚（DHBT‐ co‐ PYR‐ co‐BHBTBT）是使用相同的聚合反应合成的。合成的聚合物可溶于常见的有机溶剂中，并在旋涂后形成光滑的薄膜。从起始吸收波长获得聚合物的光学带隙能。测得的聚（DHBT- alt- PYR）的光学带隙能量为2.47 eV。正如在所述BHBTBT内容之三聚物增加，所得到的聚合物的光学带隙能量降低。聚（50DHBT- co- 40PYR- co- 10BHBTBT）和聚（50DHBT- co- 20PYR-

  DOI：

  10.1002/pola.26130