germylsilyl trifluoromethanesulfonate | 905703-05-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: germylsilyl trifluoromethanesulfonate
• CAS: 905703-05-1
• 化学式: CH₅F₃GeO₃SSi
• 分子量: 254.786
• InChiKey: URFLAQIMIYSVFF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.78
• 重原子数：
  10.0
• 可旋转键数：
  2.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  43.37
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  3.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  germylsilyl trifluoromethanesulfonate 、 水 以 水 为溶剂， 以70%的产率得到digermyldisiloxane
  参考文献：
  名称：

  类醚的硅锗氢化物，用于合成纳米结构的半导体和电介质。

  摘要：

  甲硅烷基萌芽基三氟甲磺酸酯的水解反应用于生产包括H（3）SiOSiH（3）和以前未知的O（SiH（2）GeH（3））（2）的醚状Si-Ge氢化物。通过实验和量子化学模拟方法研究了后者的结构，能量和振动特性。结合拉曼光谱，红外光谱和理论分析表明，该化合物由线性和gauche异构体的均等混合物组成，类似于类似丁烷的H（3）GeSiH（2）SiH（2）GeH（3）且扭转力极小约0.2 kcal mol（-1）的势垒。热化学模拟也证实了这一点，热化学模拟表明异构体之间的能量差小于1 kcal mol（-1）。O（SiH（2）GeH（3））（2）在Si（100）上在500摄氏度下的原理证明沉积产生了接近化学计量的Si（2）Ge（2）O材料，紧密反映了硅的组成。分子核心。通过RBS，XTEM，拉曼和红外椭圆光度法对薄膜进行了完整的表征，揭示了嵌入Si-Ge-O低氧化物非晶基质中的Si（0.30）Ge（0

  DOI：

  10.1039/b908280h
• 作为产物：
  描述：

  2-phenyl-1-germa-2-silaethane 、 三氟甲磺酸 以 neat (no solvent) 为溶剂， 以72%的产率得到germylsilyl trifluoromethanesulfonate
  参考文献：
  名称：

  (H3Ge)xSiH4-x 分子的合成和基础研究：Si 上半导体异质和纳米结构的前体

  摘要：

  已证明分子 (H(3)Ge)(x)SiH(4)(-)(x) (x = 1-4) 的整个 silyl-germyl 序列的合成。这些包括以前未知的 (H(3)Ge)(2)SiH(2)、(H(3)Ge)(3)SiH 和 (H(3)Ge)(4)Si 物种以及 H (3) GeSiH(3) 类似物，它以实际高纯度产率获得，作为半导体应用中乙硅烷和二锗烷的可行替代品。这些分子的特征在于 FTIR、多核 NMR、质谱和卢瑟福背向散射。使用密度泛函理论研究结构、热化学和振动特性。实验和理论数据的详细比较用于证实特定分子结构的合成。此处描述的 (H(3)Ge)(x)SiH(4)(-)(x) 化合物家族不仅具有内在的分子意义，而且还提供了一种独特的途径，用于开发一类新的硅基半导体，包括外延层和相干岛（量子点），富含 Ge 的化学计量比 SiGe、SiGe(2)、SiGe(3) 和 SiGe(4) 反映了相应前驱体的

  DOI：

  10.1021/ja051411o

文献信息

• Cl<i>_n</i>H_6-<i>_n</i>SiGe Compounds for CMOS Compatible Semiconductor Applications:  Synthesis and Fundamental Studies
  作者：Jesse B. Tice、Andrew V. G. Chizmeshya、Radek Roucka、John Tolle、Brian R. Cherry、John Kouvetakis

  DOI：10.1021/ja0713680

  日期：2007.6.1

  derivatives such as Cl2SiHGeH2Cl (3), Cl2SiHGeHCl2 (4), ClSiH2GeH2Cl (5), and ClSiH2GeHCl2 (6) have also been produced for the first time leading to a new class of highly reactive Si-Ge compounds that are of fundamental and practical interest. Compounds 1-6 are characterized by physical and spectroscopic methods including NMR, FTIR, and mass spectroscopy. The results combined with first principles density

  我们描述了基于化学式 ClnH6-nSiGe 的新型氯化硅锗氢化物家族的合成。H3SiGeH3 的选择性受控氯化是通过与 BCl3 反应生成 ClH2SiGeH3 (1) 和 Cl2HSiGeH3 (2) 来实现的。这代表了一种可行的单步路线，以用于半导体应用的商业产量获得目标化合物。内置的 Cl 功能专门设计用于促进与 CMOS 处理兼容的选择性生长。更高级的多氯化衍生物，如 Cl2SiHGeH2Cl (3)、 HGeHCl2 (4)、ClSiH2GeH2Cl (5) 和 ClSiH2GeHCl2 (6) 也首次被生产，导致了一类新的高反应性 Si-Ge 化合物和实际利益。化合物 1-6 通过物理和光谱方法表征，包括 NMR、FTIR、和质谱。结果与第一性原理密度泛函理论相结合，用于阐明 ClnH6-nSiGe 整个序列的结构、热化学和振动趋势，并深入了解反应动力学对产物中 Cl