octakis(dimethyl sulfoxide)yttrium(III) | 76018-14-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物 - 有机含氧阴离子化合物
• 英文名称: octakis(dimethyl sulfoxide)yttrium(III)
• 英文别名: [Y(DMSO)8](3+)
• CAS: 76018-14-9
• 化学式: C₁₆H₄₈O₈S₈Y
• 分子量: 713.986
• InChiKey: KHQIBACOOPPHSW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  二甲基亚砜 、 yttrium(III) trifluoromethanesulfonate 以 二甲基亚砜 为溶剂， 生成 octakis(dimethyl sulfoxide)yttrium(III)
  参考文献：
  名称：

  Structure of the solvated yttrium(III) ion in the oxygen donor solvents dimethyl sulfoxide, N,N-dimethylformamide and N,N′-dimethylpropyleneurea and crystal structures of [Y(OSMe2)8]I3 and [Y(OCN2Me2(CH2)3)6]I3

  摘要：

  通过 XAFS 和大角度 X 射线散射，研究了供氧溶剂二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺和 N,Nâ²-二甲基丙烯脲（OCN2Me2(CH2)3）中溶解的钇（III）离子的结构。在二甲基亚砜和 N,N-二甲基甲酰胺溶液中，钇（III）离子与八个溶剂分子共价，YâO 键的平均距离为 2.36(1) Ã。这种略微不对称的分布是通过 XAFS 数据的累积展开法模拟出来的。在二甲基亚砜溶液中，[Y(OSMe2)8]3+ 离子的 Yâ¯S 距为 3.54(1) Ã，对应的平均 YâOâS 角为 132°。在 N,N-二甲基甲酰胺中，[Y(OCHNMe2)8]3+ 离子的 Yâ¯C 间距为 3.34(1) Ã，因此 YâOâC 角为 133°。在 N,N²-二甲基丙烯脲溶液中，大体积溶剂分子的立体效应将配位数减小到 6，YâO 键的平均距离减小到 2.24(1) Ã。3.48(2) Ã的Yâ¯C键平均距离与对角度敏感的多重散射贡献的分析结果一致，后者得出的YâOâC角约为165°。室温下通过 X 射线衍射测定的 [Y(OCN2Me2(CH2)3)6]I3 和 [Y(OSMe2)8]I3 的晶体结构显示，从六配位到八配位，钇（III）的离子半径增加了约 0.12 Ã。

  DOI：

  10.1039/b005119p

文献信息

• Ab initio X-ray Absorption Spectroscopy Study of the Solvation Structure of Yttrium (III) in Dimethyl Sulfoxide
  作者：Sofía Díaz-Moreno、Jesús Chaboy

  DOI：10.1021/jp809575g

  日期：2009.3.19

  systematic ab initio computation of the Y K-edge XANES spectrum of yttrium (III) in dimethyl sulfoxide within the multiple-scattering framework. The comparison between the experimental data and the theoretical calculations has demonstrated that the solvation sphere of the yttrium cation is best modeled by eight dimethyl sulfoxide molecules each oriented to give an Y−O−S angle close to 130°.

  通过研究Y K边缘吸收光谱的扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）和X射线吸收近边缘结构（XANES）区域，可以确定二甲基亚砜中钇（III）的溶剂化结构。尽管EXAFS技术提供了有关下一个邻居协调距离的准确信息，但并没有获得对协调多面体的明确确定。由于其对键合几何形状的高度敏感性，因此通过研究吸收光谱（XANES）的近端部分可以抵消这种破坏。我们已经在多重散射框架内对二甲基亚砜中的钇（III）的Y K边缘XANES光谱进行了广泛而系统的从头计算。