bis(4-bromo-3-thienyl)methanol | 17965-61-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 芳基卤化物
• 英文名称: bis(4-bromo-3-thienyl)methanol
• 英文别名: Bis(4-bromothiophen-3-yl)methanol
• CAS: 17965-61-6
• 化学式: C₉H₆Br₂OS₂
• 分子量: 354.086
• InChiKey: FSPVVCUNSQQPJI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.5
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.11
• 拓扑面积：
  76.7
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(4-bromo-3-thienyl)methanol 在 chromium(VI) oxide 、 正丁基锂 、 对甲苯磺酸 、 溶剂黄146 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 水 、 苯 为溶剂， 反应 127.0h， 生成 2,2-bis(4-methyl-3-thienyl)-1,3-dioxolane
  参考文献：
  名称：

  The Synthesis of Difluoro and Dimethyl Derivatives of 2,6-Bis(dicyanomethylene)-2,6-dihydro-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b′]dithiophen-4-one (CPDT-TCNQ) and the Conducting Properties of the Metallic Salts Based on the Dimethyl Derivative

  摘要：

  为了研究柱间S--N和O--H原子的强接触所构建的并排方向的片状网络如何影响2,6-双(二氰基亚甲基)-2,6-二氢-4H-环戊二烯并[2,1-b：我们合成了 2,6-双（二氰基亚甲基）-2,6-二氢-4H-环戊并[2,1-b: 3,4-b′]二噻吩-4-酮（CPDT-TCNQ）、CPDT-TCNQ 的 3,5-二氟（F2CPDT-TCNQ）和 3,5-二甲基（Me2CPDT-TCNQ）衍生物。阴离子自由基盐 Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）在室温至 240 K 和 200 K 左右的电阻率分别显示出金属温度依赖性，而 Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = N 和 Sb）则是半导体。Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）的金属-绝缘体转变温度（TMI）明显高于 MX4(CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）。此外，Me4N(Me2CPDT-TCNQ)2 中金属态的不稳定程度要显著得多，因为 MeN4(CPDT-TCNQ)2 在低至 130 K 时是金属态。虽然在 CPDT-TCNQ 和 Me2CPDT-TCNQ 的任何一种盐中都不能沿着并排方向导电，但这些事实表明，沿着 a 轴的二维片状分子网络可能有助于稳定 CPDT-TCNQ 阴离子自由基盐的一维金属态。

  DOI：

  10.1246/bcsj.77.1487
• 作为产物：
  描述：

  3,4-二溴噻吩 、 3-溴噻吩-4-甲醛 在 正丁基锂 作用下， 以 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 以70%的产率得到bis(4-bromo-3-thienyl)methanol
  参考文献：
  名称：

  The Synthesis of Difluoro and Dimethyl Derivatives of 2,6-Bis(dicyanomethylene)-2,6-dihydro-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b′]dithiophen-4-one (CPDT-TCNQ) and the Conducting Properties of the Metallic Salts Based on the Dimethyl Derivative

  摘要：

  为了研究柱间S--N和O--H原子的强接触所构建的并排方向的片状网络如何影响2,6-双(二氰基亚甲基)-2,6-二氢-4H-环戊二烯并[2,1-b：我们合成了 2,6-双（二氰基亚甲基）-2,6-二氢-4H-环戊并[2,1-b: 3,4-b′]二噻吩-4-酮（CPDT-TCNQ）、CPDT-TCNQ 的 3,5-二氟（F2CPDT-TCNQ）和 3,5-二甲基（Me2CPDT-TCNQ）衍生物。阴离子自由基盐 Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）在室温至 240 K 和 200 K 左右的电阻率分别显示出金属温度依赖性，而 Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = N 和 Sb）则是半导体。Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）的金属-绝缘体转变温度（TMI）明显高于 MX4(CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）。此外，Me4N(Me2CPDT-TCNQ)2 中金属态的不稳定程度要显著得多，因为 MeN4(CPDT-TCNQ)2 在低至 130 K 时是金属态。虽然在 CPDT-TCNQ 和 Me2CPDT-TCNQ 的任何一种盐中都不能沿着并排方向导电，但这些事实表明，沿着 a 轴的二维片状分子网络可能有助于稳定 CPDT-TCNQ 阴离子自由基盐的一维金属态。

  DOI：

  10.1246/bcsj.77.1487

文献信息

• The Synthesis of Difluoro and Dimethyl Derivatives of 2,6-Bis(dicyanomethylene)-2,6-dihydro-4<i>H</i>-cyclopenta[2,1-<i>b</i>:3,4-<i>b</i>′]dithiophen-4-one (CPDT-TCNQ) and the Conducting Properties of the Metallic Salts Based on the Dimethyl Derivative
  作者：Takehiro Chonan、Kazuko Takahashi

  DOI：10.1246/bcsj.77.1487

  日期：2004.8

  In order to investigate how the sheet-like network along the side-by-side direction constructed by the strong inter-column S···N and O···H atom–atom contacts influences the stability of the metallic state of novel one-dimensional metallic anion radical salts of 2,6-bis(dicyanomethylene)-2,6-dihydro-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b′]dithiophen-4-one (CPDT-TCNQ), the 3,5-difluoro (F2CPDT-TCNQ) and 3,5-dimethyl (Me2CPDT-TCNQ) derivatives of CPDT-TCNQ, not possessing hydrogen atoms at the 3,5-positions to construct the inter-column O···H contacts, have been synthesized. The anion radical salts, Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2 (X = P and As), showed a metallic temperature dependence of the resistivity from room temperature down to around 240 K and 200 K, respectively, whereas Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2 (X = N and Sb) were semiconducting. The metal–insulator transition temperatures (TMI) of Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2 (X = P and As) are significantly higher than those of MX4(CPDT-TCNQ)2 (X = P and As). Moreover, the extent of destabilization of the metallic state is much more significant in Me4N(Me2CPDT-TCNQ)2, since MeN4(CPDT-TCNQ)2 is metallic down to 130 K. Although electric conduction can not occur along the side-by-side direction in either salt of CPDT-TCNQ and Me2CPDT-TCNQ, these facts suggest that the two-dimensional sheet-like molecular network along the a-axis may contribute to stabilize the one-dimensional metallic states of the anion radical salts of CPDT-TCNQ.

  为了研究柱间S--N和O--H原子的强接触所构建的并排方向的片状网络如何影响2,6-双(二氰基亚甲基)-2,6-二氢-4H-环戊二烯并[2,1-b：我们合成了 2,6-双（二氰基亚甲基）-2,6-二氢-4H-环戊并[2,1-b: 3,4-b′]二噻吩-4-酮（CPDT-TCNQ）、CPDT-TCNQ 的 3,5-二氟（F2CPDT-TCNQ）和 3,5-二甲基（Me2CPDT-TCNQ）衍生物。阴离子自由基盐 Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）在室温至 240 K 和 200 K 左右的电阻率分别显示出金属温度依赖性，而 Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = N 和 Sb）则是半导体。Me4X(Me2CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）的金属-绝缘体转变温度（TMI）明显高于 MX4(CPDT-TCNQ)2（X = P 和 As）。此外，Me4N(Me2CPDT-TCNQ)2 中金属态的不稳定程度要显著得多，因为 MeN4(CPDT-TCNQ)2 在低至 130 K 时是金属态。虽然在 CPDT-TCNQ 和 Me2CPDT-TCNQ 的任何一种盐中都不能沿着并排方向导电，但这些事实表明，沿着 a 轴的二维片状分子网络可能有助于稳定 CPDT-TCNQ 阴离子自由基盐的一维金属态。