4-乙炔基邻苯二甲酸 | 87639-56-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 4-乙炔基邻苯二甲酸
• 英文名称: 4-ethynylphthalic acid
• 英文别名: 4-ethynylbenzene-1,2-dicarboxylic acid；4-Ethynylbenzene-1,2-dioic acid
• CAS: 87639-56-3
• 化学式: C₁₀H₆O₄
• 分子量: 190.155
• InChiKey: GWDWBZQHNHBODA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.2
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  74.6
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-乙炔基邻苯二甲酸 以82%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  SABOURIN, E. T.;ONOPCHENKO, A., J. ORG. CHEM., 1983, 48, N 25, 5135-5137

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  4-溴邻苯二甲酸酐 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 、 氢氟酸 、 三乙胺 、 三苯基膦 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 7.0h， 生成 4-乙炔基邻苯二甲酸
  参考文献：
  名称：

  [EN] PFKFB3 INHIBITORS AND THEIR USES
  [FR] INHIBITEURS DE PFKFB3 ET LEURS UTILISATIONS

  摘要：

  这项披露涉及新的邻苯二甲酰亚胺和异吲哚酮衍生物以及其他PFKFB3抑制剂，用于治疗疾病。该发明还涉及含有此类PFKFB3抑制剂的药物组合物，其制备方法，作为治疗剂的使用方法，以及用于治疗的药物的制备方法，以及包含此类PFKFB3抑制剂的工具包和其他发明。这些PFKFB3抑制剂对于治疗和预防癌症、神经退行性疾病、自身免疫疾病、炎症性疾病、多发性硬化症、代谢性疾病、抑制血管生成以及其他疾病和情况具有用途，在这些情况下，PFKFB3和/或PFKFB4的调节具有益处，以及神经保护作用。

  公开号：

  WO2020080979A1

文献信息

• 一种室温磷光苯甲酸酯类化合物的制备方法
  申请人：北京大学

  公开号：CN109956869B

  公开（公告）日：2021-05-28

  本发明涉及一种室温磷光苯甲酸酯类化合物，并采用高效的一步法制备苯甲酸酯类化合物，从而使得制备得到的苯甲酸酯类化合物具有在室温下的明显磷光现象，从而拓展了苯甲酸酯类化合物的应用范围，可广泛应用于磷光材料中使用。
• METHOD OF PRODUCING ETHYNYL COMPOUND, METHOD OF HANDLING ETHYNYL COMPOUND, AND METHOD OF USING ASCORBIC ACID OR SALT THEREOF
  申请人：Urazoe Daisuke

  公开号：US20080287705A1

  公开（公告）日：2008-11-20

  A method of producing a first ethynyl compound represented by the following formula (1), the method including reacting a second ethynyl compound represented by the following formula (2) in a liquid phase in the presence of a reducing agent to obtain the first ethynyl compound, wherein Q 1 represents an organic group; R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group; and R 1 and R 2 may be bonded to each other.

  生产第一乙炔化合物的方法如下：在液相中，在还原剂的存在下，将以下式（2）所代表的第二乙炔化合物与反应，从而得到第一乙炔化合物，其中Q1代表一个有机基团；R1和R2各自独立地代表氢原子或碳氢基团；R1和R2可以彼此相互连接。
• Precursor of a heat resistant resin, heat resistant resin, insulating film and semiconductor device
  申请人：——

  公开号：US20020013443A1

  公开（公告）日：2002-01-31

  A precursor of a polybenzoxazole resin which comprises a crosslinking group in a molecule and has a specific structure, a polybenzoxazole resin obtained from the precursor by the condensation reaction and the crosslinking reaction, an insulating film comprising the polybenzoxazole resin and a semiconductor device comprising an insulating interlayer film in multi-layer wiring or a film for protecting surfaces which comprises the above insulating film. The precursor exhibits excellent processability due to excellent solubility in solvents and, after the ring closure, excellent heat stability in applications. The resin exhibits excellent electric, physical and mechanical properties and is advantageously used for insulating interlayer films of semiconductor devices and the like applications.

  一种聚苯并咪唑树脂的前体，其分子中包含交联基团并具有特定的结构，通过缩合反应和交联反应获得的聚苯并咪唑树脂，包括聚苯并咪唑树脂的绝缘膜以及包括上述绝缘膜的多层布线中的绝缘中间层膜或用于保护表面的膜的半导体器件。由于前体在溶剂中具有优异的溶解性，因此表现出优异的加工性能，并且在环闭后具有优异的热稳定性能，树脂表现出优异的电学、物理和机械性能，可优点地用于半导体器件的绝缘中间层膜等应用。
• Material for an insulating film, coating varnish for an insulating film, and insulating film and semiconductor device using the same
  申请人：——

  公开号：US20040002572A1

  公开（公告）日：2004-01-01

  A material for an insulating film which comprises a copolymer obtained by reacting a polyamide having a specific structure and a reactive oligomer as a component forming the film; a coating varnish for an insulating film which comprises this material and an organic solvent; an insulating film which comprises a layer of a resin comprising as a main structure a polybenzoxazole which is obtained by treating the above material or the above coating varnish by heating so that condensation reaction and crosslinking reaction take place and has fine pores; and a semiconductor device which comprises an insulating interlayer film for multi-layer wiring comprising the insulating film and/or a surface protective film comprising the insulating film. Excellent electrical, thermal and mechanical properties are exhibited and a low permittivity can be achieved.

  一种绝缘薄膜材料，包括由特定结构的聚酰胺和反应性低聚物作为成膜组分所反应得到的共聚物；一种用于绝缘薄膜的涂覆清漆，包括该材料和有机溶剂；一种绝缘薄膜，包括一层树脂，其主要结构为通过热处理上述材料或上述涂覆清漆得到的聚苯并咪唑，发生缩聚反应和交联反应并具有细小孔隙；以及一种半导体器件，包括用于多层布线的绝缘中间层膜，包括上述绝缘薄膜和/或表面保护膜，包括上述绝缘薄膜。具有优异的电性能、热性能和机械性能，并且可以实现低介电常数。
• Benzoxazole Resin Precursor, Polybenzoxazole Resin, Resin Film And Semiconductor Device
  申请人：Enoki Takashi

  公开号：US20080206548A1

  公开（公告）日：2008-08-28

  A benzoxazole resin precursor comprising a first repeating unit which is obtained by the reaction of a bisaminophenol compound and a dicarboxylic acid compound, at least one of which has the diamondoid structure; a benzoxazole resin precursor further comprising a second repeating unit which is obtained by the reaction of a bisaminophenol compound having no diamondoid structure and a dicarboxylic acid compound having no diamondoid structure; a polybenzoxazole resin obtained by the ring-closing reaction with dehydration of the above benzoxazole resin precursor; a resin film constituted with the benzoxazole resin precursor or the polybenzoxazole resin. A polybenzoxazole resin and a resin film having excellent heat resistance and a small permittivity and a semiconductor device using the resin film can be obtained from the benzoxazole resin precursor.

  一种苯并噁唑树脂前体，包括第一重复单元，该单元由双氨基酚化合物和二羧酸化合物反应得到，其中至少一个具有金刚烷结构；一种苯并噁唑树脂前体，进一步包括第二重复单元，该单元由不具有金刚烷结构的双氨基酚化合物和不具有金刚烷结构的二羧酸化合物反应得到；通过上述苯并噁唑树脂前体的环合反应和脱水反应得到的聚苯并噁唑树脂；由苯并噁唑树脂前体或聚苯并噁唑树脂构成的树脂膜。可以从苯并噁唑树脂前体中获得具有优异耐热性和小介电常数的聚苯并噁唑树脂和树脂膜，以及使用树脂膜的半导体器件。