摘要:
单分散的共轭低聚噻吩由于其有趣的光学、光电和电荷传输特性而在基础科学和应用科学中受到关注。这些“低分子量”聚合物用作相应聚合物类似物的模型结构,其本质上是多分散的。在这里,我们报告了具有多达六个双十二烷基四噻吩 (DDQT) 结构单元重复单元(即 24 个噻吩单元)的单分散低聚噻吩的合成、电子结构、分子堆积/形态和电荷传输特性。在达到有效共轭长度时,电子结构显示出与相应聚合物聚(3,3”-二十二烷基四噻吩)(PQT-12)的收敛行为。二聚体 (DDQT-2) 的 X 射线晶体结构分析表明,末端噻吩表现出同步构象,类似于在三聚体 (DDQT-3) 中观察到的末端同步构象。二聚体还表现出末端烷基侧链的罕见弯曲,以防止与连接到核心噻吩的相邻氢的空间位阻。掠入射 X 射线散射测量揭示了薄膜中从小分子状堆积到聚合物状堆积的形态演变,在有效共轭长度附近发生了形态转变。电荷传输测量显示流动性随着链长度的