磷,四苯基-,硝酸酯 | 13485-51-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 磷,四苯基-,硝酸酯
• 英文名称: tetraphenylphosphonium nitrate
• 英文别名: Tetraphenyl-phosphonium; Nitrat；Tetraphenylphosphanium;nitrate
• CAS: 13485-51-3
• 化学式: C₂₄H₂₀P*NO₃
• 分子量: 401.401
• InChiKey: DBUVZKQSYMGPFQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.07
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  62.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  磷,四苯基-,硝酸酯 、 perfluoro-o-phenylenemercury trimer 以 乙醇 为溶剂， 反应 0.75h， 以66%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  含汞反冠的配位化学。硝酸根和硫酸根阴离子与三汞抗皇冠（o -C 6 F 4 Hg）3的络合以及抗衡阳离子的性质对所得硝酸根络合物结构的影响

  摘要：

  三汞anticrown的相互作用（Ô -C 6 ˚F 4汞柱）3（1）与[PPN] NO 3和[PPH 4 ] NO 3在乙醇溶液中的产率硝酸盐络合物，[PPN] {[（ø - C 6 F 4 Hg）3 ] 2（NO 3）}（2）和[PPh 4 ] {[（o -C 6 F 4 Hg）3 ] 2（NO 3）}（3）分别具有双层三明治结构。在这两种加合物，所述硝酸根阴离子表现为三齿配体，并且通过氧原子与每个anticrown单元的一个中的汞站点协调一致η 3：η 1分的方式。然而，尽管配合物3构成晶体中的弯曲夹心，但是配合物2中反冠分子的平面彼此平行。的反应1与[PhNMe 3 ] 2所SO 4所导致硫酸盐复合物的形成，[PhNMe 3 ] 2 - {[（ø -C 6 ˚F 4Hg）3 ] 2（SO 4）}（4），然后从丙酮/乙醇混合物中重结晶，生成溶剂化物4 ·Me 2 CO·3EtOH，根

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2013.04.059
• 作为产物：
  描述：

  四苯基溴化膦 在 potassium nitrite 作用下， 以 二甲基亚砜 为溶剂， 生成 磷,四苯基-,硝酸酯
  参考文献：
  名称：

  亚硝酸四苯基phosph

  摘要：

  已发现存在三种不同形式的亚硝酸四苯基phosph：离子亚硝酸根，配位亚硝酸根和分子种类。

  DOI：

  10.1039/c39880000229

文献信息

• CATALYSTS FOR THE SYNTHESIS OF OXAZOLIDINONE COMPOUNDS
  申请人：Covestro Deutschland AG

  公开号：US20170088659A1

  公开（公告）日：2017-03-30

  The present invention relates to a method for the production of oxazolidinone compounds with low colour intensity, comprising the step of reacting an isocyanate compound with an epoxide compound in the presence of a catalyst which is free of halide anions. The invention further relates to a method for the production of oligooxazolidinone and/or polyoxazolidinone compounds, comprising the step of reacting a polyisocyanate compound with a polyepoxide compound in the presence of said catalyst. The invention further relates to oligooxazolidinone and/or polyoxazolidinone compounds with low colour intensity, obtainable by a method according to the invention.

  本发明涉及一种生产低颜色强度的噁唑烷酮化合物的方法，包括在无卤化物阴离子的催化剂存在下，将异氰酸酯化合物与环氧化合物反应的步骤。该发明还涉及一种生产寡噁唑烷酮和/或聚噁唑烷酮化合物的方法，包括在所述催化剂存在下，将聚异氰酸酯化合物与聚环氧化合物反应的步骤。该发明还涉及通过本发明方法获得的低颜色强度的寡噁唑烷酮和/或聚噁唑烷酮化合物。
• Trimethylphosphine oxide complexes of thorium and uranium tetra-nitrates; crystal structures of ten- and twelve-co-ordinate complex ions, bis[trinitratotetrakis(trimethylphosphine oxide)thorium(<scp>IV</scp>)] hexa-nitratothorate(<scp>IV</scp>) and tetraphenylphosphonium pentanitratobis(tri-methylphosphine oxide)thorate(<scp>IV</scp>)
  作者：Nathaniel W. Alcock、Steinar Esperås、Kenneth W. Bagnall、Wang Hsian-Yun

  DOI：10.1039/dt9780000638

  日期：——

  b= 12.922(2), c= 12.777(2)Å, and Z= 4. The structure analyses are based on 5 131 (1) and 3 326 (2) intensities above background. Both crystals contain discrete ions. The co-ordination numbers for thorium in (1) are 10 (1 : 5 : 4 geometry) for the cation and 12 (icosahedron) for the anion, while in (2) the co-ordination number in the disordered anion is 12. The Th–O co-ordination distances are in the

  络合物M（NO 3）4 · x PMe 3 O（x = [省略图形]，M = Th; x = [省略图形]，M = U），[M（NO 3）2（PM 3 O）5制备了[BPh 4 ] 2（M = Th或U）和[PPh 4 ] [Th（NO 3）5（PMe 3 O）2 ]，并形成了[M（NO 3）4 ·5PMe 3 O]已被证实：讨论了它们的红外光谱。[Th（NO3） 3（PMe 3 O） 4 ] 2- [Th（NO 3） 6 ]（1）和[PPh 4 ] [Th（NO 3） 5（PMe 3 O） 2 ]（2）已确定根据X射线衍射仪数据的重原子方法，并用最小二乘法将其分别细化为R 0.090和0.054。晶体参数如下：（1），单斜晶，空间群Pn， a = 9.523（l）， b = 14.507（2）， c = 27.302（5）8Å，β= 95.322（13）˙和Z= 2; （2）。正交，空间群Pnma，a
• FOUNTAIN SOLUTION COMPOSITION FOR LITHOGRAPHIC PRINTING AND HEAT-SET OFFSET ROTARY PRINTING PROCESS
  申请人：HAIJIMA Akitmitsu

  公开号：US20090226616A1

  公开（公告）日：2009-09-10

  A fountain solution composition for lithographic printing characterized by comprising at least one acyclic hydrocarbon diol compound, having 9 carbon atoms in total and two —OH groups, wherein the number of carbon atoms existing between said two —OH groups via minimal distance is from 2 to 6, and at least one cationic compound represented by a specific formula.

  一种用于平版印刷的泉水液组合物，其特征在于包括至少一种无环烃二醇化合物，总共有9个碳原子和两个-OH基团，其中存在于这两个-OH基团之间的碳原子数量的最小距离为2到6，并且至少包括一个由特定公式表示的阳离子化合物。
• THERMOSETTING IODINE- AND SILICON-CONTAINING MATERIAL, COMPOSITION CONTAINING THE MATERIAL FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM FOR EUV LITHOGRAPHY, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP3657254A1

  公开（公告）日：2020-05-27

  The present invention is a thermosetting silicon-containing material containing one or more of a repeating unit shown by the following general formula (Sx-1), a repeating unit shown by the following general formula (Sx-2), and a partial structure shown by the following general formula (Sx-3): where R1 represents an iodine-containing organic group; and R2 and R3 are each independently identical to R1, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms. This provides: a thermosetting silicon-containing material used for forming a resist underlayer film which is capable of contributing to sensitivity enhancement of an upper layer resist while keeping LWR thereof from degrading; a composition for forming a silicon-containing resist underlayer film, the composition containing the thermosetting silicon-containing material; and a patterning process using the composition.

  本发明是一种热固性含硅材料，它含有一个或多个如下通式（Sx-1）所示的重复单元、如下通式（Sx-2）所示的重复单元和如下通式（Sx-3）所示的部分结构： 其中 R1 代表含碘有机基团；R2 和 R3 各自独立地与 R1、氢原子或具有 1 至 30 个碳原子的一价有机基团相同。本发明提供了：一种用于形成抗蚀剂底层薄膜的含硅热固性材料，该材料能够有助于提高上层抗蚀剂的灵敏度，同时使其低功耗不降低；一种用于形成含硅抗蚀剂底层薄膜的组合物，该组合物含有该含硅热固性材料；以及一种使用该组合物的图案化工艺。
• COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP3686256A1

  公开（公告）日：2020-07-29

  A composition for forming a silicon-containing resist underlayer film contains at least: one or more compounds shown by the following general formula (P-0); and a thermally crosslinkable polysiloxane (Sx), where R100 represents a divalent organic group substituted with one or more fluorine atoms; R101 and R102 each independently represent a linear, branched, or cyclic monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms optionally substituted with a hetero-atom or optionally interposed by a hetero-atom; R103 represents a linear, branched, or cyclic divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms optionally substituted with a hetero-atom or optionally interposed by a hetero-atom; R101 and R102, or R101 and R103, are optionally bonded to each other to form a ring with a sulfur atom in the formula; and L104 represents a single bond or a linear, branched, or cyclic divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms optionally substituted with a hetero-atom or optionally interposed by a hetero-atom. Thus, the present invention provides a resist underlayer film capable of improving LWR and CDU in a fine pattern formed in a chemically amplified resist that uses an acid as a catalyst.

  一种用于形成含硅抗蚀剂底层薄膜的组合物至少包含：一种或多种如下通式所示的化合物（P-0）；以及一种可热交联的聚硅氧烷（Sx）、 其中 R100 代表被一个或多个氟原子取代的二价有机基团；R101 和 R102 各自独立地代表具有 1 至 20 个碳原子的线性、支链或环状一价烃基团，可选择被一个杂原子取代或被一个杂原子插入；R103 代表具有 1 至 20 个碳原子的线性、支链或环状二价烃基团，可选择被一个杂原子取代或被一个杂原子插入；R101 和 R102，或 R101 和 R103，可选地相互键合，以形成式中带有硫原子的环；以及 L104 代表单键或具有 1 至 20 个碳原子的线性、支链或环状二价烃基，可选地被杂原子取代或可选地被杂原子夹杂。因此，本发明提供了一种抗蚀剂底层薄膜，能够改善在使用酸作为催化剂的化学放大抗蚀剂中形成的精细图案的 LWR 和 CDU。