研究了在TXO单元上
苯基的不同取代位置上具有PhCz供体的三个TX基D–A异构体(TXO-PhCz1,TXO-PhCz3和TXO-PhCz4)的光物理性质。PhCz单元的取代位置会显着影响这些异构体的光物理性质。TXO-PhCz1在未掺杂和掺杂的薄膜中均显示非常弱的发射,而TXO-PhCz3和TXO-PhCz4在
TADF发射器中具有必需的特性,具有强发射,包括小的ΔE
ST和瞬态PL衰减曲线,并具有快速和稳定的特性。延迟的荧光成分。TXO-PhCz4与TXO-PhCz3相比,它表现出更强的轨道耦合,然后
磷光发射引起瞬态PL衰减的反温度依赖性,这与TXO-PhCz3和其他
TADF发射器相反。TXO-PhCz4在室温下的ΔE
ST小,为23 meV,衰减时间短,为14μs,这比TXO-PhCz3小得多且短得多。基于TXO-PhCz4的多层OLED显示出非常低的效率衰减,最大电流效率为49.2 cd