thieno[2',3':6,7]anthra[2,3-c][1,2,5]thiadiazole-4,12-dione | 1297348-31-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: thieno[2',3':6,7]anthra[2,3-c][1,2,5]thiadiazole-4,12-dione
• CAS: 1297348-31-2
• 化学式: C₁₆H₆N₂O₂S₂
• 分子量: 322.368
• InChiKey: FUDAJJGGNIGMKS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.68
• 重原子数：
  22.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  59.92
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  6.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三乙基矽乙炔 、 thieno[2',3':6,7]anthra[2,3-c][1,2,5]thiadiazole-4,12-dione 在 正丁基锂 、 sodium hypophosphite 、 溶剂黄146 、 potassium iodide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 1.0h， 以10%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Aceno[2,1,3]thiadiazoles for Field-Effect Transistors: Synthesis and Crystal Packing

  摘要：

  An efficient synthetic approach to a series of aceno[2,1,3]thiadiazole derivatives is described. 2-TIPS and 2-TES molecules exhibited different crystal packing;, and 2-TIPS show good device performances with hole mobility up to 0.4 cm(2) V(-1) s(-1) and an average mobility of 0.15 cm(2) V(-1) s(-1) as the active material for organic field-effect transistors. All of the results demonstrate these aceno[2,1,3]thiadiazole derivatives as promising materials for optoelectronic devices.

  DOI：

  10.1021/ol200748c
• 作为产物：
  描述：

  1,4-二甲氧基-2,3-二硝基苯 在 吡啶 、 aluminum (III) chloride 、 palladium on carbon 、 三(五氟苯基)硼烷 、 四丁基氟化铵 、 氢气 、 N-亚磺酰苯胺 、 六甲基二硅氮烷 作用下， 以 四氢呋喃 、 二氯甲烷 、 乙酸乙酯 、 甲苯 、 乙腈 为溶剂， 20.0~50.0 ℃ 、101.33 kPa 条件下， 反应 46.75h， 生成 thieno[2',3':6,7]anthra[2,3-c][1,2,5]thiadiazole-4,12-dione
  参考文献：
  名称：

  Aceno[2,1,3]thiadiazoles for Field-Effect Transistors: Synthesis and Crystal Packing

  摘要：

  An efficient synthetic approach to a series of aceno[2,1,3]thiadiazole derivatives is described. 2-TIPS and 2-TES molecules exhibited different crystal packing;, and 2-TIPS show good device performances with hole mobility up to 0.4 cm(2) V(-1) s(-1) and an average mobility of 0.15 cm(2) V(-1) s(-1) as the active material for organic field-effect transistors. All of the results demonstrate these aceno[2,1,3]thiadiazole derivatives as promising materials for optoelectronic devices.

  DOI：

  10.1021/ol200748c