1,5-bis[(4-hexylphenyl)methyl]-2,6-diphenyl-3,7-bis[4-(N,N-diphenyamino)phenyl]benzo[1,2-b:4,5-b']dipyrrole | 1210480-99-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 二芳基庚烷
• 英文名称: 1,5-bis[(4-hexylphenyl)methyl]-2,6-diphenyl-3,7-bis[4-(N,N-diphenyamino)phenyl]benzo[1,2-b:4,5-b']dipyrrole
• 英文别名: 4-[1,5-bis[(4-hexylphenyl)methyl]-2,6-diphenyl-3-[4-(N-phenylanilino)phenyl]pyrrolo[2,3-f]indol-7-yl]-N,N-diphenylaniline
• CAS: 1210480-99-1
• 化学式: C₈₄H₇₈N₄
• 分子量: 1143.57
• InChiKey: UOHSYHNDPRSWQR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  24.2
• 重原子数：
  88
• 可旋转键数：
  24
• 环数：
  13.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.17
• 拓扑面积：
  16.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  N,N'-bis[(4-hexylphenyl)methyl]-2,5-bis(phenylethynyl)benzene-1,4-diamine 、 4-溴三苯胺 在 正丁基锂 、 zinc(II) chloride 、 tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) chloroform complex 、 三叔丁基膦 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 甲苯 、 N-甲基吡咯烷酮 为溶剂， 反应 3.0h， 以69%的产率得到1,5-bis[(4-hexylphenyl)methyl]-2,6-diphenyl-3,7-bis[4-(N,N-diphenyamino)phenyl]benzo[1,2-b:4,5-b']dipyrrole
  参考文献：
  名称：

  四芳基取代的苯并[1,2-b：4,5-b']双吡咯：OLED器件中的空穴注入材料的合成，性质和应用

  摘要：

  是的，HIM可以！使用锌介导的双环化反应合成了一系列2,3,6,7-四芳基苯并[1,2- b：4,5- b ']双吡咯（BDP）。由BDP：PPB构成的有机发光二极管作为空穴注入层的电压可以低于基于PEDOT：PSS的器件的电压。IP值与驱动电压的相关性为空穴注入过程的机理提供了一些启示。

  DOI：

  10.1002/asia.200800471

文献信息

• Tetraaryl-Substituted Benzo[1,2-<i>b</i>:4,5-<i>b</i>′]dipyrroles: Synthesis, Properties, and Applications to Hole-Injection Materials in OLED Devices
  作者：Hayato Tsuji、Yuki Yokoi、Chikahiko Mitsui、Laurean Ilies、Yoshiharu Sato、Eiichi Nakamura

  DOI：10.1002/asia.200800471

  日期：2009.5.4

  Yes, HIMs can! A series of 2,3,6,7‐tetraarylbenzo[1,2‐b:4,5‐b′]dipyrroles (BDPs) were synthesized using zinc‐mediated double cyclization. Organic light‐emitting diodes consisting of BDP:PPB as a hole‐injection layer could be driven at a lower voltage than a PEDOT:PSS‐based device. Correlation of the IP values with the driving voltage shed some light on the mechanism of hole‐injection processes.

  是的，HIM可以！使用锌介导的双环化反应合成了一系列2,3,6,7-四芳基苯并[1,2- b：4,5- b ']双吡咯（BDP）。由BDP：PPB构成的有机发光二极管作为空穴注入层的电压可以低于基于PEDOT：PSS的器件的电压。IP值与驱动电压的相关性为空穴注入过程的机理提供了一些启示。