2-phenyl-1-germa-2-silaethane | 135524-28-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2-phenyl-1-germa-2-silaethane
• 英文别名: phenylsilylgermane；PhSiH2GeH3
• CAS: 135524-28-6
• 化学式: C₆H₁₀GeSi
• 分子量: 182.821
• InChiKey: IWIUYGJZUGEBDG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.24
• 重原子数：
  8.0
• 可旋转键数：
  1.0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-phenyl-1-germa-2-silaethane 在 氢溴酸 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 以90%的产率得到(bromosilyl)germane
  参考文献：
  名称：

  Lobreyer, Thomas; Oeler, Johannes; Sundermeyer, Wolfgang, Chemische Berichte, 1991, vol. 124, # 11, p. 2405 - 2410

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  potassium germyl 、 氯苯基硅烷 以 乙二醇二甲醚 为溶剂， 以25%的产率得到2-phenyl-1-germa-2-silaethane
  参考文献：
  名称：

  Lobreyer, Thomas; Oeler, Johannes; Sundermeyer, Wolfgang, Chemische Berichte, 1991, vol. 124, # 11, p. 2405 - 2410

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Synthesis and Fundamental Studies of (H₃Ge)<i>_x</i>SiH₄_-<i>_x</i> Molecules:  Precursors to Semiconductor Hetero- and Nanostructures on Si
  作者：Cole J. Ritter、Changwu Hu、Andrew V. G. Chizmeshya、John Tolle、Douglas Klewer、Ignatius S. T. Tsong、John Kouvetakis

  DOI：10.1021/ja051411o

  日期：2005.7.13

  epitaxial layers and coherent islands (quantum dots), with Ge-rich stoichiometries SiGe, SiGe(2), SiGe(3), and SiGe(4) reflecting the Si/Ge content of the corresponding precursor. The layers grow directly on Si(100) at unprecedented low temperatures of 300-450 degrees C and display homogeneous compositional and strain profiles, low threading defect densities, and atomically planar surfaces circumventing entirely

  已证明分子 (H(3)Ge)(x)SiH(4)(-)(x) (x = 1-4) 的整个 silyl-germyl 序列的合成。这些包括以前未知的 (H(3)Ge)(2)SiH(2)、(H(3)Ge)(3)SiH 和 (H(3)Ge)(4)Si 物种以及 H (3) GeSiH(3) 类似物，它以实际高纯度产率获得，作为半导体应用中乙硅烷和二锗烷的可行替代品。这些分子的特征在于 FTIR、多核 NMR、质谱和卢瑟福背向散射。使用密度泛函理论研究结构、热化学和振动特性。实验和理论数据的详细比较用于证实特定分子结构的合成。此处描述的 (H(3)Ge)(x)SiH(4)(-)(x) 化合物家族不仅具有内在的分子意义，而且还提供了一种独特的途径，用于开发一类新的硅基半导体，包括外延层和相干岛（量子点），富含 Ge 的化学计量比 SiGe、SiGe(2)、SiGe(3) 和 SiGe(4) 反映了相应前驱体的
• Cl<i>_n</i>H_6-<i>_n</i>SiGe Compounds for CMOS Compatible Semiconductor Applications:  Synthesis and Fundamental Studies
  作者：Jesse B. Tice、Andrew V. G. Chizmeshya、Radek Roucka、John Tolle、Brian R. Cherry、John Kouvetakis

  DOI：10.1021/ja0713680

  日期：2007.6.1

  derivatives such as Cl2SiHGeH2Cl (3), Cl2SiHGeHCl2 (4), ClSiH2GeH2Cl (5), and ClSiH2GeHCl2 (6) have also been produced for the first time leading to a new class of highly reactive Si-Ge compounds that are of fundamental and practical interest. Compounds 1-6 are characterized by physical and spectroscopic methods including NMR, FTIR, and mass spectroscopy. The results combined with first principles density

  我们描述了基于化学式 ClnH6-nSiGe 的新型氯化硅锗氢化物家族的合成。H3SiGeH3 的选择性受控氯化是通过与 BCl3 反应生成 ClH2SiGeH3 (1) 和 Cl2HSiGeH3 (2) 来实现的。这代表了一种可行的单步路线，以用于半导体应用的商业产量获得目标化合物。内置的 Cl 功能专门设计用于促进与 CMOS 处理兼容的选择性生长。更高级的多氯化衍生物，如 Cl2SiHGeH2Cl (3)、 HGeHCl2 (4)、ClSiH2GeH2Cl (5) 和 ClSiH2GeHCl2 (6) 也首次被生产，导致了一类新的高反应性 Si-Ge 化合物和实际利益。化合物 1-6 通过物理和光谱方法表征，包括 NMR、FTIR、和质谱。结果与第一性原理密度泛函理论相结合，用于阐明 ClnH6-nSiGe 整个序列的结构、热化学和振动趋势，并深入了解反应动力学对产物中 Cl