一种基于二酮
吡咯并
吡咯(
DPP),2,2'-(5,5'-(2,5-双(2-乙基己基)-3,6-二氧杂-2-3]的高性能小分子n沟道半导体,5,6-
四氢吡咯并[3,4-c]
吡咯-1,4-二基)双(
噻吩-5,2-二基))双(
甲烷-1-基-1-亚烷基)二
甲基腈(
DPP-T- DCV),已成功合成。通过引入强大的电子接受功能(二
氰基
乙烯基),精心设计了这种设计结构中的前沿分子轨道。晶体的明确层状结构显示出均匀的阶跃阶跃高度,对应于固态的分子单层。这种调整的结果以及从构象平面度获得的出色结晶度,基于
DPP-T-DCV的密集包装固溶处理的单晶的有机场效应晶体管(OFET)表现出电子迁移率(μ ë)至多0.96厘米2 V -1小号-1,对于
DPP衍
生物为基础的n沟道OFET中尚未获得的最高值之一。多晶的OFET显示承诺(具有μ Ê高达0.64厘米2 V -1小号-1),用于有机器件应用实际效用。