氟硅烷的Si-F键裂解是通过过渡
金属络合物在温和和中性条件下完成的。发现
氢化
铱络合物[Ir(H)(CO)(PPh 3)3 ]容易破坏
二膦二
氟硅烷(o- Ph 2 P)C 6 H 4 } 2 Si( F)2得到甲
硅烷基络合物[[ o-(i Ph 2 P)C 6 H 4 ] 2(F)Si} Ir(CO)(PPh 3)]和HF。密度泛函理论计算揭示了一种反应机理,其中具有固定的Ir→Si相互作用的高价
硅物种起着至关重要的作用。红外→
硅相互作用改变从
氢负离子到质子上的红外线的H的字符,并使得在Si在F多种阴离子,从而导致H的形成δ+ ⋅⋅⋅F δ-相互作用。然后,Si-F和Ir-H键很容易断裂,从而通过σ键复分解得到甲
硅烷基络合物和HF。此外,发现类似的
铑配合物[Rh(H)(CO)(PPh 3)3 ]促进三膦-单
氟硅烷(o -Ph 2 P)C 6 H 4 }的Si-F键的裂解。3Si(F)即使在环境温度下也是如此。