摩熵化学
数据库官网
小程序
打开微信扫一扫
首页 分子通 化学资讯 化学百科 反应查询 关于我们
请输入关键词

1-(2-(methylsulfinyl)phenyl)pyrene | 1527009-82-0

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
1-(2-(methylsulfinyl)phenyl)pyrene
英文别名
——
1-(2-(methylsulfinyl)phenyl)pyrene化学式
CAS
1527009-82-0
化学式
C23H16OS
mdl
——
分子量
340.445
InChiKey
IZFOEWCTTNVVHD-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    579.8±29.0 °C(predicted)
  • 密度:
    1.35±0.1 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.99
  • 重原子数:
    25.0
  • 可旋转键数:
    2.0
  • 环数:
    5.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.04
  • 拓扑面积:
    17.07
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    1.0

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1-(2-(methylsulfinyl)phenyl)pyrene三氟甲磺酸吡啶 作用下, 以 二氯甲烷 为溶剂, 反应 24.5h, 以65%的产率得到2-Thiahexacyclo[17.3.1.03,8.09,22.012,21.015,20]tricosa-1(23),3,5,7,9(22),10,12(21),13,15(20),16,18-undecaene
    参考文献:
    名称:
    Synthesis, Structure, and Opto-electronic Properties of Regioisomeric Pyrene–Thienoacenes
    摘要:
    Three regioisomeric sulfur-bridged pyrene-thienoacenes (PTAs) have been synthesized. The crystal structures and optoelectronic properties of these ring-fused PTAs and their ring-opened precursors have been fully investigated. Among these isomers, the [3,4]-extended compound (4-S-PTA) shows the most pronounced spectral red-shift and highest quantum yield as well as large transistor mobility.
    DOI:
    10.1021/ol402971n
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    Synthesis, Structure, and Opto-electronic Properties of Regioisomeric Pyrene–Thienoacenes
    摘要:
    Three regioisomeric sulfur-bridged pyrene-thienoacenes (PTAs) have been synthesized. The crystal structures and optoelectronic properties of these ring-fused PTAs and their ring-opened precursors have been fully investigated. Among these isomers, the [3,4]-extended compound (4-S-PTA) shows the most pronounced spectral red-shift and highest quantum yield as well as large transistor mobility.
    DOI:
    10.1021/ol402971n
点击查看最新优质反应信息