摘要:
2 Pπ * -3 dπ在芳香族硅烷的激发态相互作用已经研究了吸收和发射光谱的装置。已观察到具有大斯托克斯位移的苯基乙硅烷和萘乙硅烷的宽广且无结构的荧光光谱,这归因于具有大偶极矩的分子内电荷转移(ct)状态的发射。证据表明,在CT发射源自1(2 Pπ,3 dπ)状态由2制备Pπ *(芳环)→3 dπ(Si-Si键)分子内电荷转移是通过空间扭曲对发射的影响而给出的。结果表明,从苯二硅烷的局部激发态1(π,π *)1 B 2(或1 L b)迅速形成了ct状态(⩽1 ns),然后迅速衰减(⩽1 ns) )的系间窜越的1(2 Pπ,3 dπ)→ 3(π,π *)。但是,对于芳族甲硅烷和多环芳族乙硅烷(芳环),未观察到ct发射。3)即使在极性溶剂中。2 Pπ * →3 dπ分子内CT机构设置在与上述扭曲的分子内电荷转移(TICT)状态的比较讨论。