stronger fluorescence and a fluorescence blue shift in the film state. The memory device with a sandwich configuration of ITO/TPF27OPI/Al showed the nonvolatile “write once, read many” (WORM) switching behavior, while that of ITO/TPF99OPI/Al exhibited “static random access memory” (SRAM) switching behavior. Both of the devices exhibited a stable ON/OFF current ratio above 104 and a long operation time,
合成了两个新颖的芳香族聚
酰亚胺(
PIs)TPF27O
PI和TPF99O
PI,其中四苯基
芴(TPF)单元作为电子给体(D)和4,4'-氧二
邻苯二甲酸二酐(
ODPA)单元作为电子受体(A),并表征。两种合成的
PI均显示出明显的光致发光特性,并且与TPF27O
PI相比,后者的
芴单元位于聚合物主链中,侧链带有
芴单元的TPF99O
PI表现出更强的荧光和薄膜状态下的荧光蓝移。具有ITO / TPF27O
PI / Al三明治结构的存储设备显示出非易失性的“一次写入,多次读取”(WORM)开关行为,而ITO / TPF99O
PI/ Al表现出“静态随机存取存储器”(SR
AM)切换行为。在10 4个脉冲读取周期之后,这两个器件都显示出稳定的ON / OFF电流比(高于10 4)和较长的工作时间,并且电流没有明显下降。利用实验和分子模拟结果讨论了电阻开关行为的机理。这些多功能聚
酰亚胺在聚合物光电器件和存储器件领域显示出诱人的潜在应用。