3,5-dimethyl-pyridine-4-sulfonic acid | 144190-37-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: 3,5-dimethyl-pyridine-4-sulfonic acid
• 英文别名: 3,5-Dimethylpyridine-4-sulfonic acid
• CAS: 144190-37-4
• 化学式: C₇H₉NO₃S
• 分子量: 187.219
• InChiKey: OYHXWUXOVKAFOA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.3
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  75.6
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  di<(3,5-dimethyl)-4-pyridyl>-disulfide 在 双氧水 、 溶剂黄146 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 0.5h， 以46%的产率得到3,5-dimethyl-pyridine-4-sulfonic acid
  参考文献：
  名称：

  Boduszek, B., Polish Journal of Chemistry, 1992, vol. 66, # 5, p. 787 - 790

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Etching compositions and method of etching by using the same
  申请人：OCI COMPANY LTD.

  公开号：US10640706B2

  公开（公告）日：2020-05-05

  The present invention relates to an etching composition, an etching method, and a method of preparing a semiconductor device using the same, and more particularly, to an etching composition comprising a compound capable of selectively removing a nitride film with a high selectivity while minimizing an etch rate of the oxide film, and a method of preparing a semiconductor device comprising an etching process using the etching composition.

  本发明涉及一种蚀刻组合物、一种蚀刻方法和一种使用该组合物制备半导体器件的方法，更具体地说，涉及一种蚀刻组合物，该组合物包含一种化合物，该化合物能够以高选择性去除氮化膜，同时最大限度地降低氧化膜的蚀刻率；还涉及一种制备半导体器件的方法，该方法包括使用该蚀刻组合物的蚀刻工艺。