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Pyrene-Tz-tBu | 1076237-92-7

中文名称
——
中文别名
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英文名称
Pyrene-Tz-tBu
英文别名
1-(1-t-butyl-1H-1,2,3-triazole-4-yl)pyrene
Pyrene-Tz-tBu化学式
CAS
1076237-92-7
化学式
C22H19N3
mdl
——
分子量
325.413
InChiKey
MNECNHFJKIXRGA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.6
  • 重原子数:
    25.0
  • 可旋转键数:
    1.0
  • 环数:
    5.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.18
  • 拓扑面积:
    30.71
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    3.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    叔-丁基叠氮化物1-乙炔基芘copper(ll) sulfate pentahydrate三(2-吡啶基甲基)胺sodium ascorbate 作用下, 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 24.0h, 以82%的产率得到Pyrene-Tz-tBu
    参考文献:
    名称:
    介孔材料中的受控负载:点击式二氧化硅
    摘要:
    混合介孔 SBA-15 二氧化硅是直接合成的,具有可变的烷基叠氮化物负载量,代表 2-50% 的表面覆盖率。这些杂化二氧化硅材料保留了母体 SBA-15 材料的有利物理属性,并允许通过铜催化的 3 + 2 Huisgen 环加成反应有效地共价连接乙炔化有机部分。提供了三个截然不同的例子,证明了这种附件合成策略的效率和稳健性。直接合成提供了材料内随机分布的有机物的预定义负载,从站点密集到站点隔离。这种对负载的控制以及简单实施的分析程序应该有助于将同质化学物转化为异质支持物。
    DOI:
    10.1021/ja804237b
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文献信息

  • Discrete Complexes Immobilized onto Click-SBA-15 Silica: Controllable Loadings and the Impact of Surface Coverage on Catalysis
    作者:Jun Nakazawa、Brian J. Smith、T. Daniel P. Stack
    DOI:10.1021/ja210400u
    日期:2012.2.8
    prepared with variable azide loadings of 0.03-0.7 mmol g(-1) (~2-50% of maximal surface coverage) through a direct synthesis, co-condensation approach. These materials are functionalized selectively with ethynylated organic moieties through a copper-catalyzed azide alkyne cycloaddition (CuAAC) or "click" reaction. Specific loading within a material can be regulated by either the azide loading or limiting
    叠氮丙基官能化介孔二氧化硅 SBA-15 是通过直接合成、共缩合方法制备的,其叠氮化物负载量为 0.03-0.7 mmol g(-1)(最大表面覆盖率的~2-50%)。这些材料通过催化的叠氮炔环加成 (CuAAC) 或“点击”反应,用乙炔化的有机部分选择性地功能化。材料内的特定负载可以通过叠氮化物负载或限制炔试剂相对于叠氮化物负载来调节。二茂铁、三(吡啶基甲基)胺(TPA)和卟啉(FeTPP)的固定证明了这种两步合成附着策略的稳健性和可重复性。负载敏感的荧光与理论上随机的表面分布相关,而不是均匀分布;当负载量小于 0.02 mmol g(-1) 时,长度约 15 Å 的束缚部分发生位点隔离。在 SBA-15-[Cu(I)(TPA)] 的氧化中观察到表面负载对反应性的影响。SBA-15-[Mn(II)(TPA)]-催化的环氧化表现出对表面负载的系统依赖性。对均相、位点分离和位点密集
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