2-acetylthiomethylbenzaldehyde | 101340-51-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2-acetylthiomethylbenzaldehyde
• 英文别名: S-[(2-formylphenyl)methyl] ethanethioate
• CAS: 101340-51-6
• 化学式: C₁₀H₁₀O₂S
• 分子量: 194.254
• InChiKey: LRTUXTGHWKTOSK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.6
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.2
• 拓扑面积：
  59.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  吡咯 、 2-acetylthiomethylbenzaldehyde 在 三氟乙酸 、 四氯苯醌 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 3.75h， 以42%的产率得到meso-5,10,15,20-tetrakis(2-acetylthiomethylphenyl)porphyrin
  参考文献：
  名称：

  金纳米粒子上的金（0）卟啉​​。

  摘要：

  DOI：

  10.1002/anie.200703943
• 作为产物：
  描述：

  2-acetylthiomethylbenzaldehyde diacetate 在 silica gel 、 三氯化铁 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 0.5h， 以64%的产率得到2-acetylthiomethylbenzaldehyde
  参考文献：
  名称：

  金纳米粒子上的金（0）卟啉​​。

  摘要：

  DOI：

  10.1002/anie.200703943

文献信息

• HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
  申请人：The Regents of the University of California

  公开号：EP1210714A2

  公开（公告）日：2002-06-05
• EP1210714A4
  申请人：——

  公开号：EP1210714A4

  公开（公告）日：2006-01-04
• [EN] HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE<br/>[FR] DISPOSITIF A MEMOIRE REMANENTE HAUTE DENSITE
  申请人：UNIV CALIFORNIA

  公开号：WO2001003126A2

  公开（公告）日：2001-01-11

  This invention provides novel high density memory devices (Fig. 3) that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (102), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.