已经准备了一个扩展族的杂金属[(M1)2(M2)2(L-)4](n +)[2x2]网格类型阵列1-9。该三层合成路线包括区域选择性,氧化还原和对映选择性特征,并且基于异二topic配体AC的逐步构建。这些配体包含可电离的NH和不可电离的NMe单元,可根据配体结合袋上的电荷控制金属氧化还原特性。2-嘧啶(R)和6-吡啶(R')取代基对复杂的几何结构具有重大影响,并会影响系统的电化学和磁性行为。1H NMR光谱研究表明,取决于取代基R和R'的空间效应,网格中的Fe(II)离子可以是低自旋,高自旋或自旋交叉。该空间效应已被操纵以构建一个具有两个低旋转和两个自旋交叉的Fe(II)中心的异常阵列(网格8)。对网格型阵列1-9及其各自的单核前体复合物10-13进行了电化学研究。栅格用作电子存储库,并显示多达八个单电子可逆还原步骤。这些过程通常成对发生,并分配给基于配体的还原反应和Co(III)/ Co
已经准备了一个扩展族的杂金属[(M1)2(M2)2(L-)4](n +)[2x2]网格类型阵列1-9。该三层合成路线包括区域选择性,氧化还原和对映选择性特征,并且基于异二topic配体AC的逐步构建。这些配体包含可电离的NH和不可电离的NMe单元,可根据配体结合袋上的电荷控制金属氧化还原特性。2-嘧啶(R)和6-吡啶(R')取代基对复杂的几何结构具有重大影响,并会影响系统的电化学和磁性行为。1H NMR光谱研究表明,取决于取代基R和R'的空间效应,网格中的Fe(II)离子可以是低自旋,高自旋或自旋交叉。该空间效应已被操纵以构建一个具有两个低旋转和两个自旋交叉的Fe(II)中心的异常阵列(网格8)。对网格型阵列1-9及其各自的单核前体复合物10-13进行了电化学研究。栅格用作电子存储库,并显示多达八个单电子可逆还原步骤。这些过程通常成对发生,并分配给基于配体的还原反应和Co(III)/ Co