tungsten silicide | 12166-56-2

• 分子结构分类: 有机化合物
• 英文名称: tungsten silicide
• 英文别名: Silane--tungsten (1/1)；silane;tungsten
• CAS: 12166-56-2
• 化学式: SiW
• 分子量: 215.96
• InChiKey: KEKAYANIOKYSFL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二氟代氙 、 tungsten silicide 生成 硫酸盐离子 、 silicon monofluoride 、 硅烷 、 difluorosilylene 、 silicon tetrafluoride
  参考文献：
  名称：

  XeF2 硅化钨干法蚀刻的 XPS 研究

  摘要：

  X 射线光电子能谱 (XPS) 和石英晶体微量天平 (QCM) 测量已被用于研究 XeF2 对 WSi0.6 的蚀刻。对于自发蚀刻和离子束辅助蚀刻，观察到 Si 的优先蚀刻。从 WSi 基体中去除 Si 产生的缺陷使自发蚀刻速率比 W(100) 蚀刻速率提高了 30 倍。通过观察 WF、SiF 和 SiF3 以及捕获在反应层中的挥发性反应产物 SiF4，WSi0.6 的表面组成在 XeF2 暴露下发生了变化。

  DOI：

  10.1016/0039-6028(88)90575-4
• 作为产物：
  描述：

  二氯硅烷 、 tungsten(VI) fluoride 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 tungsten silicide
  参考文献：
  名称：

  Tungsten Silicide Films Deposited by SiH2Cl2 ‐  WF 6 Chemical Reaction

  摘要：

  DOI：

  10.1149/1.2096848

文献信息

• Properties of Chemical Vapor Deposited Tungsten Silicide Films Using Reaction of  WF 6 and Si2 H 6
  作者：Yoshimi Shioya、Kaoru Ikegami、Ikuro Kobayashi、Mamoru Maeda

  DOI：10.1149/1.2100645

  日期：1987.5.1

  Tungsten silicide films were formed by the chemical vapor deposition method using the reaction WF/sub 6/ and Si/sub 2/H/sub 6/. The deposition rate, resistivity, composition, stress, crystal structure, and content of impurities were studied and compared with tungsten silicide films deposited by reaction of WF/sub 6/ and SiH/sub 4/. The tungsten silicide films made using Si/sub 2/H/sub 6/ have a higher

  使用反应WF/sub 6/和Si/sub 2/H/sub 6/，通过化学气相沉积方法形成硅化钨膜。研究了沉积速率、电阻率、成分、应力、晶体结构和杂质含量，并与通过WF/sub 6/ 和SiH/sub 4/ 反应沉积的硅化钨薄膜进行了比较。在相同的衬底温度下，使用 Si/sub 2/H/sub 6/ 制成的硅化钨薄膜比使用 SiH/sub 4/ 制成的薄膜具有更高的沉积速率和更高的硅浓度。由于这些原因，发现使用 Si/sub 2/H/sub 6/ 制成的硅化钨薄膜具有稍高的电阻率，并且在退火后，其应力小于使用 SiH/sub 4 制成的薄膜/.
• Formation of W_<i>x</i>Si_1−<i>x</i>by plasma chemical vapor deposition
  作者：K. Akimoto、K. Watanabe

  DOI：10.1063/1.92733

  日期：1981.9

  Smooth films of W‐Si compounds (WxSi1−x) were successfully formed by plasma chemical vapor deposition using WF6 and SiH4. The atomic ratio of W/Si in the film depended on the flow rate of WF6/SiH4. The WxSi1−x obtained when x was less than 0.45 was amorphous even after the film was annealed at 1100 °C for 60 min in N2 ambient. The crystalline phase of W was observed when x is 0.99 in an as‐deposited

  使用 WF6 和 SiH4 通过等离子体化学气相沉积成功地形成了 W-Si 化合物 (WxSi1-x) 的光滑薄膜。薄膜中 W/Si 的原子比取决于 WF6/SiH4 的流速。当 x 小于 0.45 时获得的 WxSi1-x 即使在薄膜在 N2 环境中在 1100°C 下退火 60 分钟后也是无定形的。当在沉积膜中 x 为 0.99 时，观察到 W 的结晶相。发现薄膜中W原子的分布是均匀的。沉积后薄膜的电阻率从~3×10-2 到~4×10-5 Ω cm 不等，对应于从 0.04 到 0.99 的 x。对于较小的 x，退火时电阻率的降低是显着的。
• WSi_<i>x</i> formation in W–Si multilayers
  作者：S. Eicher、R. A. Bruce

  DOI：10.1139/p87-134

  日期：1987.8.1

  The formation of WSi_x phases from multiple thin layers of W and Si was investigated. Tungsten and silicon thin films of ~5 nm thickness were deposited sequentially onto GaAs substrates by dc magnetron sputtering from elemental targets. The total film thickness was ~300 nm. The W and Si layer thickness, and thus the overall composition of the films, was controlled by adjusting the power applied to the two sputtering targets. The films examined in this work had nominal compositions in the range WSi₂–WSi_0.48.The multilayered structure was subjected to rapid thermal annealing at 900 °C. The extent of the reaction, the grain size, and the crystal structure of the silicides were determined using transmission electron microscopy and X-ray diffraction. For WSi_x films with [Formula: see text], the silicides had the βW structure and were relatively large grained, ~450 nm, while for x > 0.52, the film contained the W₅Si₃ phase and consisted of grains ~45 nm in diameter.Schottky contacts were of good quality for [Formula: see text], with a barrier height (ϕ) of 0.7 V and an ideality factor (n) of 1.15. Schottky contacts with higher silicon concentrations were poor.The WSi_x (x = 0.52) Schottky contact has been successfully incorporated into a self-aligned gate field-effect transistor.

  本研究探讨了从多层W和Si薄膜形成WSi_x相的过程。通过从元素靶材上进行直流磁控溅射，将约5nm厚的钨和硅薄膜依次沉积在GaAs衬底上。总膜厚约为300nm。通过调整两个溅射靶材的功率来控制W和Si层的厚度，从而控制薄膜的总体成分。本研究中所检测的薄膜具有名义成分在WSi₂–WSi_0.48范围内的多层结构。多层结构在900°C下进行了快速热退火。利用透射电子显微镜和X射线衍射确定了反应的程度、晶粒大小和硅化物的晶体结构。对于WSi_x薄膜（x≤0.52），硅化物具有βW结构，晶粒相对较大，约为450nm；而对于x>0.52，薄膜包含W₅Si₃相，由约45nm的晶粒组成。[Formula: see text]的肖特基接触具有良好的质量，势垒高度（ϕ）为0.7V，理想因子（n）为1.15。硅含量较高的肖特基接触质量较差。WSi_x（x=0.52）肖特基接触已成功地应用于自对准栅场效应晶体管中。
• Superconducting a-WxSi1−x nanowire single-photon detector with saturated internal quantum efficiency from visible to 1850 nm
  作者：Burm Baek、Adriana E. Lita、Varun Verma、Sae Woo Nam

  DOI：10.1063/1.3600793

  日期：2011.6.20

  We have developed a single-photon detector based on superconducting amorphous tungsten–silicon alloy (a-WxSi1−x) nanowire. Our device made from a uniform a-WxSi1−x nanowire covers a practical detection area (16 μm×16 μm) and shows high sensitivity featuring a plateau of the internal quantum efficiencies, i.e., efficiencies of generating an electrical pulse per absorbed photon, over a broad wavelength

  我们开发了一种基于超导非晶钨硅合金 (a-WxSi1-x) 纳米线的单光子探测器。我们的器件由均匀的 a-WxSi1-x 纳米线制成，覆盖了一个实用的检测区域（16 μm×16 μm），并显示出高灵敏度，具有内部量子效率的平台，即每个吸收光子产生电脉冲的效率，超过宽的波长和偏置范围。这种用于超导纳米线探测器技术的材料系统可以克服基于 NbN 的流行纳米线器件的局限性，并导致具有高效率、低噪声和高计数率的更实用、更理想的单光子探测器。
• Composition of Tungsten Silicide Films Deposited by Dichlorosilane Reduction of Tungsten Hexafluoride
  作者：Tohru Hara、Takaaki Miyamoto、Hiroyuki Hagiwara、E. I. Bromley、W. R. Harshbarger

  DOI：10.1149/1.2087105

  日期：1990.9.1